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IRL3715ZPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,42A,RDS(ON),6mΩ@4.5V,7.5mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRL3715ZPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3715ZPBF-VB

IRL3715ZPBF-VB概述

    IRL3715ZPBF-VB N-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL3715ZPBF-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用领域,如服务器电源管理和直流-直流转换。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,具备高性能和可靠性,是各种电力电子系统中的理想选择。

    技术参数


    以下是IRL3715ZPBF-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | - | 20 | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | 0.5 | - | V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | - | 100 | - | nA |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 150 | µA |
    | 连续漏极电流(TJ=175°C) | ID | - | 85 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 260 | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | 45 | - | mJ |
    | 功耗 | PD | - | - | 125 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 结到环境热阻(PCB安装) | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 结到环境热阻(自由空气) | RthJA | - | 62.5 | - | °C/W |
    | 结到壳热阻 | RthJC | - | 1.25 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    IRL3715ZPBF-VB的主要特点包括:
    - 采用TrenchFET技术,提升性能和可靠性
    - 100%经过栅极电阻和UIS测试
    - 符合RoHS指令2011/65/EU

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于OR-ing电路、服务器和DC/DC转换器。以下是一些典型的应用场景和使用建议:
    1. 服务器电源管理:IRL3715ZPBF-VB可以有效管理服务器中的电力分配,提高系统的可靠性和效率。
    2. DC/DC转换器:在DC/DC转换器中,这款MOSFET能够处理高电流并确保稳定的电力输出。
    使用建议:
    - 确保正确连接栅极和源极,以避免过高的栅极-源极电压导致损坏。
    - 在高功率应用中,考虑使用散热器以减少热应力。


    兼容性和支持


    IRL3715ZPBF-VB采用TO-220AB封装,适合与大多数标准TO-220AB插座兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括详细的文档和在线客服,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    1. 问:MOSFET在高温环境下无法正常工作怎么办?
    - 答: 确保使用适当的散热措施,例如安装散热片或风扇。同时,确认所使用的散热器尺寸合适,以保证有效的散热效果。
    2. 问:栅极驱动电压设置不当会导致什么后果?
    - 答: 不正确的栅极驱动电压可能导致MOSFET损坏。务必按照技术手册中的建议设置栅极驱动电压。

    总结和推荐


    IRL3715ZPBF-VB N-Channel 20-V MOSFET是一款高效且可靠的电力电子器件,适用于多种电力管理系统。其先进的TrenchFET技术保证了卓越的性能和长期可靠性。如果您正在寻找一款适用于服务器、DC/DC转换器或其他电力电子系统的MOSFET,强烈推荐选择IRL3715ZPBF-VB。
    通过以上详细分析,可以看出IRL3715ZPBF-VB不仅具有高性能和多功能性,还提供了出色的客户服务和支持。因此,我强烈推荐此产品用于您的电力电子项目。

IRL3715ZPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@4.5V,7.5mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 42A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRL3715ZPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3715ZPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3715ZPBF-VB IRL3715ZPBF-VB数据手册

IRL3715ZPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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