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IRF634STRLPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF634STRLPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF634STRLPBF-VB

IRF634STRLPBF-VB概述

    IRF634STRLPBF Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF634STRLPBF 是一种高压N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等领域。其主要功能包括高速开关、动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、易于并联以及简单的驱动要求。这款MOSFET具有出色的动态性能和稳定的电性能,在高电压和高电流应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - VDS (漏源击穿电压):250V
    - RDS(on) (导通电阻):在VGS=10V时为0.23Ω
    - Qg max (最大总栅极电荷):68nC
    - Qgs (栅源电荷):11nC
    - Qgd (栅漏电荷):35nC
    - 绝对最大额定值
    - VGS (栅源电压):±20V
    - 连续漏极电流 (VGS=10V):在TC=25°C时为16A;在TC=100°C时为9.5A
    - 脉冲漏极电流 (重复):56A
    - 最大耗散功率 (TC=25°C):125W
    - 单脉冲雪崩能量: 550mJ
    - 重复雪崩电流: 14A
    - 重复雪崩能量: 13mJ
    - 静态参数
    - 输出特性: 在25°C时,VGS=10V时的最大漏极电流为16A
    - 栅源阈值电压: 2.0~4.0V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):在VDS=250V时为25μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS=10V时为0.23Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):330pF
    - 反向传输电容 (Crss):85pF
    - 栅源电荷 (Qgs):11nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):35nC
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):-62°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC):-1.0°C/W
    - 其他参数
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 4.8V/ns
    - 最大存储和工作温度范围: -55°C至+150°C
    - 焊接推荐: 最高温度300°C,持续时间10秒
    - 安装扭矩: 6-32或M3螺丝,10lbf·in或1.1N·m

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值: 这个特性使得该MOSFET能够在高电压变化率下稳定运行,特别适用于高频率应用。
    - 重复雪崩额定值: 该特性确保了MOSFET在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 高速开关: 其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效开关应用的理想选择。
    - 易于并联: 方便实现更高电流输出的应用场景。
    - 简单的驱动要求: 易于与其他电路集成,降低设计复杂度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理: 高频开关电源系统。
    - 逆变器: 用于光伏逆变器和其他电力转换设备。
    - 电机驱动: 电动车辆中的电机控制。
    - 使用建议:
    - 确保驱动电路满足快速开关的要求,以充分利用其性能。
    - 考虑散热设计,特别是大电流应用时,确保足够的散热以维持正常工作温度。
    - 仔细考虑布局设计,减少寄生电感和电容的影响,确保良好的信号完整性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET可与其他标准驱动电路兼容,适用于各种应用场景。
    - 支持和维护: 厂商提供详尽的技术文档和专业支持,确保客户能够充分发挥其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中过热。
    - 解决方案: 增加散热措施,如散热片或散热风扇,确保适当的散热设计。
    - 问题2: 驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保信号稳定且满足MOSFET的驱动要求。
    - 问题3: 反向恢复过程中出现过电压。
    - 解决方案: 使用合适的缓冲电路,降低反向恢复过程中的瞬态电压。

    7. 总结和推荐


    IRF634STRLPBF 是一款高性能的高压N沟道MOSFET,具备出色的动态特性和可靠性。它在多种应用场景中表现优异,特别是在高频和高功率应用中。强烈推荐此产品用于需要高效率、高可靠性的场合,如电源管理和电机驱动等领域。

IRF634STRLPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@10V,276mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 16A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF634STRLPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF634STRLPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF634STRLPBF-VB IRF634STRLPBF-VB数据手册

IRF634STRLPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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