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K4A60DB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4A60DB-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A60DB-VB

K4A60DB-VB概述

    K4A60DB-VB N-Channel 650V Power MOSFET

    产品简介


    K4A60DB-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压电力转换系统。这款 MOSFET 主要用于开关电源、逆变器和其他需要高效率和低损耗的电力应用场合。

    技术参数


    K4A60DB-VB 的关键技术参数如下:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 2.5 | Ω |
    | 最大持续漏极电流 (ID) | 3.8 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 | A |
    | 额定功率损耗 (PD) | 30 | W |
    | 有效输出电容 (Coss eff.) | 84 | pF |
    | 最大结到壳热阻 (RthJC) | 2.1 | °C/W |
    | 最大结到环境热阻 (RthJA)| 65 | °C/W |
    | 工作温度范围 | -55 ~ 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷 (Qg):低门极电荷使得驱动要求简单,减少功耗并提高效率。
    2. 增强的门极耐受性:具有出色的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,提升整体可靠性。
    3. 全面表征的电容和雪崩参数:提供详细的电气特性和雪崩电压电流,便于设计者进行准确的系统设计。
    4. 符合 RoHS 指令:产品通过了欧盟关于有害物质限制(RoHS)的相关规定。

    应用案例和使用建议


    K4A60DB-VB 在开关电源、电动汽车充电站、工业电源等领域有着广泛应用。例如,在开关电源中,它可用于控制高压直流输入到低压直流输出的转换过程。为了确保最佳性能,建议在使用时遵循以下几点:
    1. 驱动电路设计:选择合适的驱动电阻,以实现高效的门极驱动。
    2. 散热设计:考虑到其较高的结到壳热阻,设计良好的散热器以避免过热。
    3. 布局设计:尽量减小寄生电感,以降低开关过程中产生的瞬态电压和电流。

    兼容性和支持


    K4A60DB-VB 与大多数常见的电源转换器和控制器兼容。厂商提供详细的技术文档和支持,确保客户能够轻松集成该组件到现有的系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下运行不稳定。
    - 解决办法:增加散热措施,确保 MOSFET 处于安全的工作温度范围内。
    2. 问题:门极驱动信号不稳定。
    - 解决办法:检查驱动电路的电阻值和布局设计,避免门极信号干扰。
    3. 问题:雪崩击穿电流过高。
    - 解决办法:在电路设计中增加适当的保护措施,如采用钳位二极管来吸收瞬态电流。

    总结和推荐


    K4A60DB-VB 是一款高效可靠的 N 沟道 650V MOSFET,适合多种电力应用场合。其独特的设计使其在复杂的工作环境中表现出色,且具备全面的技术文档支持。强烈推荐在高压电力转换系统中使用此产品。联系服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和产品信息。

K4A60DB-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A60DB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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K4A60DB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7812
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