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UTT80N06L-TQ2-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: UTT80N06L-TQ2-T-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT80N06L-TQ2-T-VB

UTT80N06L-TQ2-T-VB概述

    UTT80N06L-TQ2-T MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    UTT80N06L-TQ2-T 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子设备中。这款 MOSFET 基于先进的 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热管理能力,广泛应用于电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - 在 25°C 时: 150A
    - 在 125°C 时: 65A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 350A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 65A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 在 25°C 时: 220W
    - 在 125°C 时: 70W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +175°C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.65°C/W
    - 典型参数:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \): 4mΩ
    - \( V{GS} = 10V, ID = 30A \): 6mΩ
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( V{GS} = 0V, V{DS} = 60V \): <1μA
    - 转导增益 \( g{fs} \): 94S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 7000pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 715pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 360pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 96nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 16ns

    产品特点和优势


    1. 先进工艺:采用 TrenchFET® 技术,提供更高的电流承载能力和更低的导通电阻。
    2. 优越的热管理:低热阻设计使得散热更有效,提高可靠性。
    3. 可靠的测试:所有样品均经过100%的 \( Rg \) 和 UIS 测试,确保品质。
    4. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+175°C的极端环境,适用性强。

    应用案例和使用建议


    UTT80N06L-TQ2-T 主要应用于电源转换和电机控制领域,如逆变器、直流变换器、开关电源等。在设计电路时,建议使用推荐的最小焊盘尺寸以保证良好的散热效果,并考虑负载电流的变化对热管理的影响。

    兼容性和支持


    UTT80N06L-TQ2-T 与现有的大多数 PCB 设计和标准焊接工艺兼容。制造商提供详尽的技术支持文档和咨询服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开启延迟时间过长。
    - 解决办法: 确保栅极驱动信号频率符合要求,避免过高的 \( Rg \)。
    - 问题2: 功耗过高导致温度上升。
    - 解决办法: 采用更好的散热措施,如加装散热片或增加散热面积。
    - 问题3: 开关噪声较大。
    - 解决办法: 适当减小 \( Rg \),并使用低电感电路布局以减少杂散电感影响。

    总结和推荐


    总体而言,UTT80N06L-TQ2-T 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,适用于需要高电流承载能力和优良热管理的应用场合。建议在设计电路时充分考虑其性能指标,选择合适的外围电路组件,以充分发挥其潜力。对于需要高可靠性应用的客户来说,UTT80N06L-TQ2-T 是一个非常值得考虑的选择。

UTT80N06L-TQ2-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT80N06L-TQ2-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT80N06L-TQ2-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT80N06L-TQ2-T-VB UTT80N06L-TQ2-T-VB数据手册

UTT80N06L-TQ2-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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