处理中...

首页  >  产品百科  >  K2889-VB

K2889-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K2889-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2889-VB

K2889-VB概述

    K2889-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2889-VB 是一款高性能的N-Channel 650V(D-S)功率MOSFET。这款MOSFET 主要用于服务器、电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)等领域。由于其低损耗和高可靠性,它也非常适用于工业控制应用。

    技术参数


    K2889-VB 的主要技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDS): 最大值为650V,在最高结温时。
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在25°C时为0.2Ω(VGS=10V时),并且根据温度的变化。
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为43nC。
    - 栅源电荷 (Qgs): 为5nC。
    - 栅漏电荷 (Qgd): 为22nC。
    - 最大连续漏电流 (ID): 当TJ=25°C时为12A,当TJ=150°C时为9.4A。
    - 脉冲漏电流 (IDM): 最大值为45A。
    - 反向恢复时间 (trr): 最大值为345ns。
    - 存储和工作温度范围: -55°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    K2889-VB 的主要优势包括:
    - 低损耗特性: 具有低栅极电荷(Qg),可以减少开关损耗和导通损耗。
    - 输入电容低: 输入电容(Ciss)较低,提高了效率并降低了动态损耗。
    - 重复应力能力: 能够承受重复的雪崩击穿电压(UIS)。
    - 快速开关: 有效的输出电容和低栅极电荷使得开关速度更快,从而提高效率。

    应用案例和使用建议


    K2889-VB 可以应用于多种高要求的电源和驱动电路中。例如,在SMPS系统中,它的低损耗和快速开关特性使其能够有效降低整体系统损耗。对于照明系统中的HID和荧光灯,这款MOSFET同样表现出色,尤其是在需要高精度调光的应用场合。
    使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,可以根据系统的工作频率和MOSFET的门极电容来确定合适的值,以确保开关过程中的损耗最小化。
    - 在实际应用中,要确保MOSFET的栅极电压保持在安全范围内,防止过高电压导致的损坏。

    兼容性和支持


    K2889-VB 可以与各种标准接口兼容,并且支持常见的焊接工艺。制造商提供详尽的技术支持,包括在线文档、FAQ和客户支持热线(400-655-8788),以帮助用户解决任何可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过高的损耗。
    - 解决办法: 检查驱动电阻的阻值是否合适,并确保门极驱动信号的质量良好。

    - 问题2: 系统运行中MOSFET温度过高。
    - 解决办法: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或其他散热措施。

    总结和推荐


    总体来说,K2889-VB 是一款非常出色的N-Channel 650V功率MOSFET,具有高效率、低损耗、快速开关等显著优势。特别适合于对性能要求较高的应用场合,如服务器电源、工业控制系统以及照明设备等。我们强烈推荐使用此产品,并相信它将为您提供满意的性能表现。
    联系方式:400-655-8788
    通过上述分析,K2889-VB 在性能和可靠性方面均表现出色,是市场上非常值得信赖的产品。

K2889-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K2889-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2889-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2889-VB K2889-VB数据手册

K2889-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336