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NVD5490NLT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: NVD5490NLT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD5490NLT4G-VB

NVD5490NLT4G-VB概述


    产品简介


    NVD5490NLT4G 是一款高性能的 N 沟道增强型 TrenchFET® 功率 MOSFET。该产品具有出色的电气特性和卓越的热稳定性,适用于多种高功率密度的应用场景。TrenchFET® 技术使得 MOSFET 在高压环境下表现出色,同时具备低导通电阻(rDS(on)),从而降低功耗并提高效率。此外,NVD5490NLT4G 能够承受高达 175°C 的结温,这使其在严苛的工作环境中也能够稳定运行。它广泛应用于工业控制、电源转换、马达驱动以及通信设备等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 60 V
    - 漏源导通电阻(rDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 15 A: 0.025 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 15 A, TJ = 125 °C: 0.055 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 15 A, TJ = 175 °C: 0.069 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 10 A: 0.030 Ω
    - 连续漏电流(ID)
    - TC = 25 °C: 45 A
    - TC = 100 °C: 10 A
    - 最大功率耗散(PD)
    - TC = 25 °C: 100 W
    - TA = 25 °C: 3 A
    - 最高工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻抗
    - 最大结点至环境热阻抗(RthJA): 18°C/W (典型值), 22°C/W (最大值)
    - 最大结点至外壳热阻抗(RthJC): 3.2°C/W (典型值), 4°C/W (最大值)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:确保高效的电力转换和高可靠性。
    2. 高耐温性:能够在极端高温下稳定运行,适合严苛环境下的应用。
    3. 低导通电阻:减少功耗和热量产生,提高系统效率。
    4. 强大的电流处理能力:最大连续漏电流可达 45 A,脉冲漏电流可达 100 A。
    5. 良好的热管理:具备优秀的热阻抗特性,有利于散热设计。

    应用案例和使用建议


    NVD5490NLT4G 广泛应用于工业控制系统和电源转换电路中。例如,在高频逆变器中,其低导通电阻可以显著降低损耗;在电动机驱动电路中,其高耐温性可以在恶劣环境下保持稳定运行。使用时建议:
    1. 确保电路板设计能够有效散热,特别是当环境温度较高时。
    2. 使用合适尺寸的散热片来帮助 MOSFET 散热。
    3. 避免长时间处于高功率状态,以减少热累积风险。

    兼容性和支持


    NVD5490NLT4G 采用 TO-252 封装形式,可以轻松与其他标准封装的产品兼容。该产品已通过 RoHS 认证,并且符合无卤素标准。制造商提供了详细的技术支持和文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。如有任何疑问,可随时联系官方服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品工作时温度过高怎么办?
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改善散热途径。
    2. 问:产品导通电阻增加怎么办?
    - 解决方案:确认使用条件(如 VGS 和 ID)是否超出规范范围,必要时进行重新计算和调整。
    3. 问:产品失效怎么办?
    - 解决方案:首先检查是否存在过载或过热情况,排除后可联系制造商寻求技术支持。

    总结和推荐


    总体而言,NVD5490NLT4G 具备卓越的电气性能和热稳定性,是一款理想的高功率应用 MOSFET。其 TrenchFET® 技术和高耐温性使其在多种苛刻环境中依然表现出色。无论是工业控制还是通信设备,该产品都是一个值得信赖的选择。对于需要高效、可靠的电力解决方案的应用场合,我们强烈推荐使用 NVD5490NLT4G。

NVD5490NLT4G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD5490NLT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD5490NLT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD5490NLT4G-VB NVD5490NLT4G-VB数据手册

NVD5490NLT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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