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UT4812ZL-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: UT4812ZL-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4812ZL-S08-R-VB

UT4812ZL-S08-R-VB概述


    产品简介


    产品名称:UT4812ZL-S08-R
    产品类型:双N沟道30V(D-S)功率MOSFET
    主要功能:作为高效的开关元件,在低电流和高频环境下具有优异表现,适用于直流转换器(DC/DC)、机顶盒等领域。
    应用领域:广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域,如Set Top Box(机顶盒)、低电流DC/DC转换电路等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-漏极击穿电压(VDS) | - | 30 | - | V |
    | 漏极-源极导通电阻(RDS(on)) | 0.02 | 0.022 | 0.026 | Ω |
    | 连续漏极电流(ID) | - | 6.0 | - | A |
    | 门电荷(Qg) | 3.7 | 5.6 | - | nC |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 | 150 | 150 | °C |
    其他特性:
    - 符合RoHS标准和卤素-free标准(IEC 61249-2-21)。
    - 采用TrenchFET®技术,具备高性能和高可靠性。
    - 绝对最大额定值下提供短路保护和脉冲耐受能力。

    产品特点和优势


    1. 高效能:低导通电阻(RDS(on))确保较低功耗,提高整体效率。
    2. 高速响应:快速开关特性,适合高频工作环境。
    3. 可靠设计:100% UIS(雪崩)和RG测试,确保长期稳定性。
    4. 兼容性强:采用行业通用的SO-8封装,易于集成到现有电路中。
    5. 环保材料:无卤化物,符合环保要求,适合绿色制造。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 机顶盒电源管理:用于驱动低压供电模块,减少系统能耗并提高散热效率。
    - 低电流DC/DC转换器:在高频开关电源中替代传统分立元件,提升系统密度。
    使用建议:
    1. 在使用时注意限制最大漏极电流(ID),避免过载损坏器件。
    2. 设计散热方案以保证工作温度不超过150°C。
    3. 结合电容配置,优化门极驱动电阻以降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:SO-8封装,可直接替换市场上主流的类似型号MOSFET。
    - 厂商支持:VBsemi公司提供详细的技术文档和应用支持,包括样品申请、技术支持及售后服务。
    - 供货保障:适用于大批量生产需求,确保供应链稳定性。

    常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整门极电阻(Rg),降低输入阻抗。 |
    | 温度过高 | 增加散热片或优化PCB布局,增强热传导。 |
    | 漏电流过大 | 确保正确设置VGS电压,避免低于阈值电压。|

    总结和推荐


    总体评价:UT4812ZL-S08-R是一款高性能、低功耗的双N沟道功率MOSFET,具有出色的导通特性和快速开关性能。它在低电流DC/DC转换器和机顶盒等应用场景中表现出色,尤其适用于需要高效能和小型化的电子产品。
    推荐使用场景:适用于消费类电子设备、通信设备及工业自动化系统中需要高可靠性、低成本和高效率的场景。对于希望简化电路设计且追求最佳性价比的工程师来说,UT4812ZL-S08-R是一个理想的选择。
    总结:强烈推荐!

UT4812ZL-S08-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4812ZL-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4812ZL-S08-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4812ZL-S08-R-VB UT4812ZL-S08-R-VB数据手册

UT4812ZL-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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