处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS10N60FT-O-F-N-B-VB

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: JCS10N60FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS10N60FT-O-F-N-B-VB

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS10N60FT-O-F-N-B-VB N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
    JCS10N60FT-O-F-N-B-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯球)。此外,这款MOSFET也适用于工业应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):25°C时为典型值0.1Ω
    - 最大栅极输入电荷 (Qg):43nC
    - 最大栅极-源极电荷 (Qgs):5nC
    - 最大栅极-漏极电荷 (Qgd):22nC
    - 最大连续漏极电流 (ID):12A (TJ = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 最大耗散功率 (PD):取决于环境温度
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最高结温 (TJ):150°C
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.8°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)低至0.1Ω,大大减少了功率损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg仅为43nC,显著提高了开关速度。
    - 高雪崩能量能力:能承受重复雪崩事件,提高可靠性。
    - 低输入电容:Ciss低至5pF,有效降低开关损耗。
    - 超低反向恢复时间:trr低至345ns,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:此MOSFET能够处理高压环境下的大电流,非常适合服务器和电信设备。
    - 工业照明:用于高强度放电灯和荧光灯系统,提供稳定的电源控制。
    - 工业设备:在各种工业环境中提供可靠的电力转换和管理。
    使用建议
    - 散热设计:由于MOSFET具有较高的热阻,需要在电路板上配置适当的散热片以保持良好的热传导。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路的电源电压和信号波形满足要求,以避免损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-220封装兼容,易于安装和替换。
    - 支持:台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、样品、测试电路板等。

    常见问题与解决方案


    1. 高温环境下的性能下降:
    - 解决方案:增加外部散热措施,如风扇或散热片,确保MOSFET在安全温度范围内运行。

    2. 高频率下的开关损耗:
    - 解决方案:采用适当的门极驱动器以减小Qg和Qgd,同时注意电路布局减少寄生电感。

    总结和推荐


    JCS10N60FT-O-F-N-B-VB 是一款高度可靠的N沟道650V功率MOSFET,特别适用于高压、高电流应用环境。其卓越的低导通电阻和低输入电容使其在许多应用中表现出色。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效电源管理和稳定电力控制的应用场景中。

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS10N60FT-O-F-N-B-VB JCS10N60FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS10N60FT-O-F-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336