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KF5N53DS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: KF5N53DS-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF5N53DS-VB

KF5N53DS-VB概述

    KF5N53DS MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    KF5N53DS 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要应用于需要高效率和低损耗的电力电子系统,如开关电源、电机驱动和通信设备等领域。其主要功能是作为开关元件,在电力转换和控制过程中起到关键作用。

    技术参数


    以下是 KF5N53DS 的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.95 Ω (当 VGS = 10 V)
    - 最大总栅极电荷 (Qg(max)):15 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):6 nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):120 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):34 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):取决于实际应用
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):取决于具体封装形式
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 (RthJC):取决于具体封装形式
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:4.5 V/ns
    - 最大连续漏极电流 (TC = 25°C):5 A
    - 最大连续漏极电流 (TC = 100°C):4 A
    - 最大工作结温 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):导致简单的驱动要求,减少功耗。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性:提高可靠性。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压及电流:保证稳定性和一致性。
    4. 符合 RoHS 指令:环保无铅。

    应用案例和使用建议


    KF5N53DS 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 开关电源:由于其低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功率损耗。
    - 电机驱动:优异的耐久性使其适用于频繁启停的环境。
    - 通信设备:低栅极电荷和高耐压能力使其成为理想的保护元件。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保良好的散热以避免过热。
    2. 电路布局:尽量减少引线长度,以减少寄生电感。

    兼容性和支持


    KF5N53DS 与市面上主流的控制芯片兼容,厂商提供详细的文档和支持服务,确保客户可以轻松集成到现有的设计中。客户可以通过官方服务热线获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 热稳定性不佳 | 确保良好的散热设计和环境温度控制 |
    | 开关损耗大 | 优化电路布局,减少寄生电感 |
    | 栅极电荷不稳定 | 使用合适的栅极驱动器 |

    总结和推荐


    KF5N53DS 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备出色的电气特性和可靠的性能表现。它广泛适用于电力电子领域的多种应用。根据上述分析,我们强烈推荐 KF5N53DS 用于需要高效、可靠且符合环保标准的电力电子系统中。
    通过详细的技术规格和应用案例,KF5N53DS 展现了其在电力电子领域的卓越性能和广泛应用潜力。无论是在严格的工业环境中还是消费类电子产品中,KF5N53DS 都能提供出色的性能和可靠的运行。

KF5N53DS-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

KF5N53DS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF5N53DS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF5N53DS-VB KF5N53DS-VB数据手册

KF5N53DS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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