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NTQD6968NR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,7.6A,RDS(ON),13mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.6Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: NTQD6968NR2G-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTQD6968NR2G-VB

NTQD6968NR2G-VB概述

    Dual N-Channel MOSFET NTQD6968NR2G 技术手册解析

    产品简介


    NTQD6968NR2G 是一款双路 N 沟道 MOSFET,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。它广泛应用于电源管理、马达控制、LED 驱动等领域,具有高效的电流处理能力和低导通电阻(RDS(on)),适合需要高可靠性和紧凑设计的应用场合。

    技术参数


    - 基本规格:
    - VDS(漏源电压):20V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.014Ω
    - 在 VGS = 2.5V 时为 0.018Ω
    - ID(持续漏极电流):在 25°C 下为 7.6A,在 70°C 下为 6.5A
    - 绝对最大额定值:
    - VDS(漏源电压):20V
    - VGS(栅源电压):±12V
    - IDM(脉冲漏极电流):30A
    - IS(持续源电流):1.5A
    - PD(最大功耗):1.5W(在 25°C 下)
    - 热阻:
    - RthJA(结至环境的最大热阻):72°C/W(瞬态),100°C/W(稳态)
    - RthJF(结至引脚的最大热阻):55°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    NTQD6968NR2G 具备以下独特优势:
    - 高效能:低导通电阻保证了较高的效率,尤其是在高电流条件下。
    - 低损耗:由于其高耐压和低漏电流,降低了开关过程中的能量损耗。
    - 可靠性:采用 TrenchFET® 技术,提升了可靠性,减少了失效风险。
    - 环保设计:提供无卤素选项,符合 RoHS 标准,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    NTQD6968NR2G 可用于多种应用,例如:
    - 电源转换:适用于 DC-DC 转换器、电池充电器等。
    - 马达驱动:可应用于工业马达控制,提供可靠的驱动能力。
    - LED 驱动:高效能的开关特性使其成为 LED 照明系统的理想选择。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意散热设计以确保长期稳定运行。
    - 根据实际需求选择合适的 VGS 设置,以获得最佳的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数常见的 PCB 布局标准。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够顺利集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确选择 VGS?
    - 解决方法:根据具体应用场景选择合适的 VGS,确保既能满足电流需求又能维持较低的 RDS(on)。
    - 问题:过高的工作温度会引发什么问题?
    - 解决方法:增加散热措施,如安装散热片或外部风扇,确保工作温度不超过最大限制。

    总结和推荐


    NTQD6968NR2G 是一款高性能、高可靠性的双路 N 沟道 MOSFET,非常适合对效率和可靠性有高要求的应用场合。凭借其出色的电气特性和环保特性,它在各种现代电子设备中都有广泛的应用前景。强烈推荐在需要高效、可靠的电源管理和驱动控制的应用中选用 NTQD6968NR2G。

NTQD6968NR2G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@4.5V,20mΩ@2.5V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7.6A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTQD6968NR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTQD6968NR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTQD6968NR2G-VB NTQD6968NR2G-VB数据手册

NTQD6968NR2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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