处理中...

首页  >  产品百科  >  K4143-VB

K4143-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K4143-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4143-VB

K4143-VB概述

    K4143-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4143-VB 是一款采用 TO-220 Fullpak 封装的 60V N-通道 MOSFET。其主要功能是作为开关电路中的关键组件,广泛应用于电源转换、电机驱动、照明控制等领域。该产品具有高电压隔离能力、低热阻及动态 dv/dt 额定值等优点,适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 45 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 220 | A |
    | 最大功率耗散 | PD 52 | W |
    | 栅源漏电 | IGSS ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 3.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.027 Ω |
    | 总栅电荷 | Qg 95 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 27 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 46 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) 19 ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) -55 ns |
    | 热阻至环境 | RthJA 65 | °C/W |
    | 热阻至外壳 | RthJC 3.1 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高电压隔离能力:高达 2.5 kVRMS 的电压隔离,适用于高压环境下的应用。
    - 低热阻:有助于降低芯片温度,延长使用寿命。
    - 动态 dv/dt 额定值:在快速切换时表现出良好的稳定性和可靠性。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适用于绿色电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:K4143-VB 在太阳能逆变器和工业电机驱动系统中表现出色,因其高电压隔离能力和低热阻,在这些高压环境中运行稳定可靠。
    - 使用建议:在设计电路时,需注意散热措施以避免过热问题。此外,使用低寄生电感和接地平面的设计可以提高整体系统的效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K4143-VB 与其他主流 N-通道 MOSFET 的引脚兼容,便于替换和升级现有设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:启动时出现高温问题。
    - 解决方案:检查电路布局,确保有足够的散热措施,如增加散热片或使用风扇。
    - 问题:漏电流过高。
    - 解决方案:检查栅源电压是否超过额定范围,重新校准电路。

    7. 总结和推荐


    K4143-VB 60V N-Channel MOSFET 在性能和可靠性方面表现优异,适用于多种高压环境应用。其独特的高电压隔离能力和低热阻使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的电子设备中使用此产品。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

K4143-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4143-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4143-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4143-VB K4143-VB数据手册

K4143-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336