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K2848_05-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2848_05-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2848_05-VB

K2848_05-VB概述

    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻、高雪崩耐受能力和优良的动态开关特性。这种MOSFET广泛应用于电力电子系统中,如电机驱动、电源转换和通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 漏极-源极电压(VDS):650 V
    - 连续漏极电流(TC VGS at 10 V):1.28 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):8 A
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):25 W
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):25 μA
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):4.0 Ω(VGS = 10 V)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):1000 pF
    - 输出电容(Coss):45 pF
    - 反向传输电容(Crss):5 pF
    - 总栅电荷(Qg):11 nC
    - 热阻抗
    - 结温到环境的最大热阻(RthJA):65 °C/W
    - 结温到外壳的最大热阻(RthJC):2.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅电荷:低栅电荷要求简单的驱动电路,减少能耗和成本。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,提高长期可靠性。
    - 全面测试:完全校准的电容和雪崩电压及电流特性,确保性能稳定。
    - 环保认证:符合RoHS指令2002/95/EC标准,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于电机驱动和电源转换系统,能够在高温环境下稳定工作。
    - 使用建议:在设计电路时,应考虑合适的散热设计以避免过热问题。此外,在选择驱动器时应注意匹配合适的栅极驱动电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与主流的电机驱动和电源转换系统兼容。
    - 支持:提供详细的技术文档和支持服务,客户可随时联系技术服务团队获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:增加散热片,改善散热条件;选择合适的工作环境温度范围。
    - 问题2:驱动电路不稳定导致性能下降。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,选择合适的栅极驱动电阻和电容值。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 在电力电子领域表现出色,具有低导通电阻、高可靠性及优秀的动态开关特性。适用于多种工业应用场景,推荐给需要高性能电力电子解决方案的工程师和技术人员。

K2848_05-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2848_05-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2848_05-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2848_05-VB K2848_05-VB数据手册

K2848_05-VB封装设计

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