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J356-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J356-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J356-VB

J356-VB概述

    # P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款由 VBsemi 推出的高性能功率 MOSFET 器件,采用先进的 TrenchFET® 技术制造。这种器件适用于负载开关和其他高效率功率转换应用。它的额定工作电压为 -60V,最大连续漏极电流为 -5.2A(在 70°C 环境温度下)。该产品经过 100% UIS 测试,确保其可靠性和耐用性。
    主要功能
    - 高效率:适用于负载开关和各种电源管理应用。
    - 耐久性:通过 100% UIS 测试验证,保证产品质量。
    - 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on) 最低可达 0.0 欧姆(在 VGS = -10V 时)。
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理电路
    - 工业控制和汽车电子系统

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -60 | V |
    | 漏极电流 | ID | - | - | -5.2 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0 | - | 欧姆 |
    | 输入电容 | Ciss | 1500 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 200 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 150 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 38 | 56 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 9 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 10 | - | nC |
    其他电气特性包括工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,最大功耗为 10.4W(在 25°C 时),以及热阻抗 RthJA 为 33°C/W。

    产品特点和优势


    特点
    - 先进工艺:采用 TrenchFET® 技术,提供更低的导通电阻和更高的效率。
    - 高可靠性:经过严格的 UIS 测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 宽温范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作。
    优势
    - 高效能:低导通电阻显著降低功耗,提高整体系统效率。
    - 易用性:简单的封装设计便于集成到各种电路中。
    - 市场竞争力:在同类产品中具有较高的性价比和性能指标。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于工业自动化、汽车电子以及消费电子产品中。例如,在负载开关应用中,它能够有效地控制大电流流动,同时保持较低的功耗。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,应考虑适当的栅极电阻以避免高频振荡。
    - 设计时需注意散热措施,特别是在高温环境下使用时。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品可与其他标准的 SOT89 封装器件兼容,适合替换现有的类似产品。
    支持和服务
    VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线文档、应用指南以及专业的客户服务团队,帮助用户快速解决问题并优化设计方案。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何判断器件是否损坏?
    解决方案:可以通过测量漏极-源极之间的导通电阻来判断。如果 RDS(on) 显著增大,则可能已经损坏。
    问题 2:如何避免过压损坏?
    解决方案:在设计中加入合适的保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款功能强大且可靠的电子元器件,特别适合需要高效率和稳定性的应用场景。其优异的性能指标、广泛的适用性和良好的客户支持使其成为市场的热门选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率 MOSFET 的工程师和技术人员。

J356-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J356-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J356-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J356-VB J356-VB数据手册

J356-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
1000+ ¥ 1.1597
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