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IRF620SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF620SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF620SPBF-VB

IRF620SPBF-VB概述


    产品简介


    IRF620SPBF是一款采用表面贴装技术(Surface Mount)的N-沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品具有无卤素材料的特性,并符合IEC 61249-2-21标准定义。IRF620SPBF具有动态dv/dt等级、重复雪崩额定值、快速开关和易于并联等特点,且符合RoHS指令2002/95/EC要求。适用于各种电力转换和控制应用,如直流电机驱动、电池充电电路和电源管理等领域。

    技术参数


    以下是IRF620SPBF的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS):200 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(TC=25 °C):10 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):36 A
    - 最大功耗(TC=25 °C):74 W
    - 最大重复雪崩能量(EAR):7.4 mJ
    - 总门电荷(Qg):43 nC
    - 门源电荷(Qgs):7.0 nC
    - 门漏电荷(Qgd):23 nC
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):在VDS = 200 V时为25 μA,在VDS = 160 V,TJ = 125 °C时为250 μA
    - 反向恢复时间(trr):在TJ = 25 °C,IF = 5.9 A时为170至340 ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr):1.1至2.2 μC
    - 内部源电感(LS):7.5 nH
    - 内部漏电感(LD):4.5 nH

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:根据IEC 61249-2-21标准定义,确保环境友好。
    2. 动态dv/dt等级:具备高动态dv/dt特性,增强可靠性。
    3. 重复雪崩额定值:重复雪崩电流高达9.0 A,提供稳定的工作性能。
    4. 快速开关:低延迟时间(td(on) 和 tf)和低上升时间(tr),提高效率。
    5. 简易驱动要求:易于并联和驱动,方便系统集成。
    6. 高可靠性:符合RoHS指令,无铅焊接,延长产品寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流电机驱动:IRF620SPBF可应用于需要快速开关速度和高可靠性的直流电机驱动电路。
    - 电池充电电路:在大电流输出和高频率操作下,IRF620SPBF表现出色,适合于电池充电电路的设计。
    - 电源管理:通过快速开关和低损耗特性,IRF620SPBF能够有效提高电源系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意IRF620SPBF的门电荷参数(Qg),以确保驱动电路有足够的能力来满足快速开关的要求。
    - 为了减少寄生电感的影响,建议采用低杂散电感布局,尤其是在高速开关场合。
    - 针对高频应用,需注意IRF620SPBF的反向恢复时间和电荷参数(trr 和 Qrr),合理选择辅助元件以确保良好的性能。

    兼容性和支持


    IRF620SPBF与多种电子元件和设备兼容,支持表面贴装技术。厂商提供了全面的技术文档和支持,包括详细的电气特性参数、封装尺寸及焊接推荐温度等。此外,用户可以联系客服热线400-655-8788获取进一步的技术支持和维护信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理IRF620SPBF的过热问题?
    - 解决方案: 确保在电路设计中考虑散热措施,如增加散热片或使用高效冷却风扇。同时,遵循推荐的焊接温度和散热条件。

    - 问题2:如何提高IRF620SPBF的可靠性?
    - 解决方案: 使用低杂散电感布局,合理配置门驱动电阻(Rg),确保电路设计满足IRF620SPBF的参数要求。

    总结和推荐


    IRF620SPBF凭借其高动态dv/dt、重复雪崩额定值、快速开关和易于并联等特点,在电力转换和控制应用中表现出色。其无卤素材料和符合RoHS标准的特性使其成为环保和高性能的理想选择。我们强烈推荐使用IRF620SPBF在需要高可靠性和高效能的应用场合,例如直流电机驱动、电池充电电路和电源管理系统中。

IRF620SPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF620SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF620SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF620SPBF-VB IRF620SPBF-VB数据手册

IRF620SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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型号 价格(含增值税)
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