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PHX7N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: PHX7N60E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX7N60E-VB

PHX7N60E-VB概述

    PHX7N60E Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PHX7N60E 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高压环境下的电源转换系统。它具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性等特点,在各类电子设备中得到了广泛的应用。
    主要功能:
    - 高压环境下的开关控制
    - 低损耗的功率转换
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)
    - 工业控制和驱动系统

    2. 技术参数


    主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大持续漏电流(ID):4 A(TJ = 150 °C)
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):0.6 Ω(VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 最大总栅极电荷(Qg):35 nC(VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)
    - 输入电容(Ciss):178 pF(VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):53 pF
    - 反向传输电容(Crss):57 pF
    - 最大雪崩能量(EAS):90 mJ
    - 最大耗散功率(PD):未指定
    - 工作温度范围:-55 °C 到 +150 °C
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 脉冲漏电流(IDM):未指定
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):90 mJ
    - 最大功耗(PD):未指定
    - 工作结温和存储温度范围:-55 °C 到 +150 °C
    - 最大结壳热阻(RthJC):0.6 °C/W
    - 热电阻(RthJA):未指定

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 极低的通态电阻(RDS(on))
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关损耗和导通损耗
    - 极低的栅极电荷(Qg)
    市场竞争力:
    - 适用于高要求的电源转换系统
    - 低功耗设计提升了系统的效率和可靠性

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源供应系统中,用于高效率的直流转换。
    - 在工业控制系统中,用于电机驱动和负载切换。
    使用建议:
    - 确保电路设计中有良好的散热措施以保持器件稳定运行。
    - 选择合适的驱动电路以减少栅极电荷的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - PHX7N60E 与大多数常见的电源转换电路兼容。
    支持:
    - 提供详细的技术手册和应用指南。
    - 客户技术支持热线:400-655-8788

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问:如何正确安装 PHX7N60E?
    - 答: 应按照 TO-220 FULLPAK 封装的标准进行焊接,确保焊接温度不超过 300 °C 并且峰值时间不超过 10 秒。

    - 问:如何优化器件的使用寿命?
    - 答: 应遵循制造商的建议温度范围,避免长时间超过最高工作温度。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - PHX7N60E 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,具备出色的开关特性和高可靠性。它适用于需要高压、高效率转换的应用场合。
    - 强烈推荐在高压电源转换系统中使用 PHX7N60E,特别是在服务器电源、照明和工业控制等领域。
    通过详细的技术手册和应用指南,可以确保 PHX7N60E 在各种应用场景中的高效和可靠运行。

PHX7N60E-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX7N60E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX7N60E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHX7N60E-VB PHX7N60E-VB数据手册

PHX7N60E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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