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UPA1950TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1950TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1950TE-VB

UPA1950TE-VB概述

    UPA1950TE Dual P-Channel 20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UPA1950TE 是一款双P通道20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为便携式设备和计算机负载开关设计。该器件具有出色的电气特性和较低的导通电阻,适用于电池开关和负载开关等应用场景。其独特的设计使其成为在紧凑空间内实现高效开关的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大栅源电压 (VGS): ±12V
    - 最大漏源电压 (VDS): -20V
    - 最大连续漏极电流 (ID): -4.0A (TC=25°C), -3.3A (TC=70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -12A
    - 最大功率耗散 (PD): 1.4W (TC=25°C), 0.9W (TC=70°C)
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.075Ω (VGS=-4.5V, ID=-2.5A), 0.100Ω (VGS=-2.5V, ID=-1A)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1μA (VDS=-20V, VGS=0V)
    - 转移电导 (gfs): 5S (VDS=-10V, ID=-2.6A)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 210pF (VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 反向传输电容 (Crss): 33pF
    - 热特性
    - 最大结温 (TJ): -55°C至150°C
    - 热阻抗 (RthJA): 93°C/W (最大值)

    3. 产品特点和优势


    UPA1950TE 具有以下显著特点和优势:
    - 环保设计: 符合RoHS和卤素自由标准。
    - 高效能: 极低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关速度。
    - 高可靠性: 100% Rg测试保证。
    - 封装灵活: TSOP-6封装,适合多种应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 在便携式设备中作为负载开关,降低功耗并提高效率。
    - 电池开关: 在电池管理系统中作为电池开关,保护电池免受过流和过压的影响。
    - 计算机应用: 用于总线开关和负载开关,提供高效的电源管理。
    使用建议:
    - 在使用过程中要注意控制温度,避免超过最大额定温度(150°C)。
    - 设计电路时要充分考虑散热问题,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    UPA1950TE 与大多数标准电路板兼容,可以直接焊接在标准FR4板上。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、设计指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的功率耗散导致器件损坏。
    - 解决办法: 使用适当的散热措施,如加装散热片或风扇,以确保温度保持在安全范围内。

    - 问题: 开关速度慢导致性能下降。
    - 解决办法: 检查驱动电路的设计,确保足够的驱动电流和合适的栅极电阻(Rg)。

    7. 总结和推荐


    UPA1950TE 是一款优秀的双P通道20V MOSFET,具有出色的功能和广泛的应用范围。其紧凑的封装、低功耗和高可靠性使其成为便携式设备和计算机负载开关的理想选择。强烈推荐用于需要高性能开关解决方案的应用场合。
    如需进一步技术支持或购买,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

UPA1950TE-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1.2V~-2.2V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1950TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1950TE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1950TE-VB UPA1950TE-VB数据手册

UPA1950TE-VB封装设计

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