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IRF631-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: IRF631-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF631-VB

IRF631-VB概述

    IRF631-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRF631-VB 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电源管理及电机控制应用。该MOSFET的工作电压范围为200V,具备高可靠性,且具有较低的导通电阻(RDS(on)),使其成为高效能开关应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 200V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID, TC = 25°C): 125A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 18mJ
    - 最大功率耗散 (PD, TA = 25°C): 121W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 200V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2V 至 4V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on), VGS = 10V): 40A
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on), VGS = 10V, ID = 5A): 0.270Ω
    - 前向跨导 (gfs): 35S
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 800pF
    - 输出电容 (Coss): 110pF
    - 反向传输电容 (Crss): 80pF
    - 总栅电荷 (Qg): 8nC
    - 上升时间 (tr): 50ns 至 75ns
    - 下降时间 (tf): 60ns 至 90ns

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受性:高达175°C的结温,使其适合在极端环境下使用。
    - 优化PWM性能:针对脉宽调制(PWM)进行了优化,确保更高的效率。
    - 全面测试:所有的栅极电阻均经过100%测试,确保产品的可靠性和一致性。
    - 符合RoHS指令:材料成分符合欧盟RoHS标准,适用于欧洲市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:IRF631-VB MOSFET 在许多应用中表现出色,如直流至直流转换器、电池充电器、电机驱动电路等。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在设计中考虑其热管理和散热措施,以避免过高的温度导致性能下降。此外,在进行PWM驱动时,需要根据负载调整合适的栅极电阻,以提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRF631-VB 支持表面贴装技术(SMT),适用于大多数PCB设计。它可以与多种控制器和电源管理IC兼容,如TI公司的TMS320系列DSP和STM32系列MCU。
    - 技术支持:台湾VBsemi提供详尽的技术文档和应用指南,并设有专门的技术支持团队,为用户提供从选型到调试的全程支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何降低MOSFET的热阻?
    - 解决方法:增加散热片面积,选择更高热导率的导热材料,并确保良好的接触界面。

    - 问题二:如何避免栅极振荡?
    - 解决方法:在栅极电路中加入适当的去耦电容和RC滤波网络,减少信号反射和振荡。

    7. 总结和推荐


    IRF631-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,非常适合于需要高功率密度和高温稳定性的应用。尽管其初始成本可能较高,但其出色的性能和长寿命使其成为值得投资的选择。我们强烈推荐此产品给所有对性能要求较高的电源设计工程师。

IRF631-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF631-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF631-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF631-VB IRF631-VB数据手册

IRF631-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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