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KF9N50P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: KF9N50P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF9N50P-VB

KF9N50P-VB概述

    KF9N50P Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF9N50P 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低门电荷 Qg、改进的栅极和动态 dv/dt 阳极坚固性。这款 MOSFET 在多种电力转换应用中表现出色,如开关电源、电机驱动和焊接设备等。其设计目的是提供卓越的性能和可靠性,同时满足严格的环保要求。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 500 V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.660 Ω (VGS = 10 V)
    - 总门电荷 (Qg): 81 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 20 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 36 nC
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C: 13 A
    - TC = 100 °C: 8.1 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 560 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 13 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 25 mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 250 W (TC = 25 °C)
    - 最大结壳热阻 (RthJC): 0.50 °C/W
    - 最大结-环境热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 最大结-散热器热阻 (RthCS): 0.50 °C/W

    产品特点和优势


    1. 降低的门电荷 Qg: 这降低了驱动需求,简化了电路设计。
    2. 增强的坚固性: 通过改善栅极、雪崩和动态 dv/dt 特性,增强了耐久性。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压: 确保在不同条件下的可靠性和稳定性。
    4. 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 符合环保标准,确保产品的可持续性和合规性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: KF9N50P 在高压开关电源、电机驱动和焊接设备中表现出色。例如,在电源适配器中,它可以提高转换效率并减少发热。
    - 使用建议:
    - 在高频率应用中,注意其栅极电荷的影响,以避免过高的开关损耗。
    - 设计电路时,应考虑低杂散电感和接地平面,以减少噪声和干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: KF9N50P 采用 TO-220AB 封装,与大多数标准电源电路兼容。
    - 支持: 台湾 VBsemi 提供详细的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过高的开关损耗?
    - A: 减少栅极电荷,优化电路布局,使用低杂散电感和良好的接地设计。
    - Q: 如何防止电路过热?
    - A: 选择合适的散热器,保持良好的散热设计,避免长时间高负载运行。

    总结和推荐


    KF9N50P 是一款高性能、高可靠的 N 沟道功率 MOSFET,适用于各种高压电力转换应用。其出色的门电荷特性和坚固性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐 KF9N50P 用于需要高效率和稳定性的应用场景。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系台湾 VBsemi 的客户服务团队。

KF9N50P-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

KF9N50P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF9N50P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF9N50P-VB KF9N50P-VB数据手册

KF9N50P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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