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H04N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: H04N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H04N60F-VB

H04N60F-VB概述

    H04N60F-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: H04N60F-VB 是一种单极 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高达 650V 的高电压应用。
    主要功能: 它的主要功能是在高电压和电流条件下提供低导通电阻(RDS(on)),从而降低功耗并提高系统效率。
    应用领域: 广泛应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器和其他电力电子设备中。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VGS | 0 | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on)| - | 2.5 | - | Ω |
    | 栅漏电荷 | Qg | - | 48 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 12 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 19 | - | nC |
    | 重复雪崩能量 | EAS | - | 325 | - | mJ |
    | 最大功率损耗 | PD | - | 30 | - | W |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 低栅极电荷 Qg,减少驱动需求。
    - 改善的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。
    优势:
    - 高可靠性:H04N60F-VB 具有高耐压能力和低导通电阻,使其在高电压应用中表现优异。
    - 易于驱动:低栅极电荷使得驱动电路设计更加简单,减少了系统成本。
    - 高效性:在高电流下保持较低的导通电阻,降低能耗,提高整体能效。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电源转换器中,H04N60F-VB 可以显著提高转换效率。
    - 在电机驱动器中,它能够有效控制电机的启动和停止,提供平稳的电流调节。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合器件的最大耐压要求。
    - 考虑到热管理,尤其是在高功率应用中,应使用散热片或强制风冷来降低工作温度。
    - 在选择驱动电路时,确保驱动能力能够匹配 MOSFET 的栅极电荷要求,避免过大的栅极驱动电压。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - H04N60F-VB 具有标准 TO-220FULLPAK 封装,便于安装和焊接。
    - 它可以与其他标准电源模块和控制器兼容,如常见的 PWM 控制器和驱动器。
    支持:
    - 提供全面的技术支持和客户咨询服务。
    - 厂商提供详尽的资料和技术文档,方便工程师进行设计参考。
    - 具备良好的售后服务体系,确保客户在使用过程中得到及时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间电流过高 | 检查驱动电路,确保合适的栅极驱动电压。 |
    | 系统在高温环境下运行不稳定 | 加强散热措施,使用散热片或强制风冷。 |
    | 电路噪声干扰导致器件损坏 | 使用滤波器和屏蔽技术降低噪声干扰。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    H04N60F-VB MOSFET 在高电压和高电流应用中表现出色,具备高可靠性和高效能。其低栅极电荷和改善的耐受性使其成为众多电力电子设备的理想选择。
    推荐:
    对于需要高性能、高可靠性的高电压应用,我们强烈推荐使用 H04N60F-VB。该产品在市场上具有很高的竞争力,并且拥有完善的售后支持,非常适合工业级应用。

H04N60F-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

H04N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H04N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 H04N60F-VB H04N60F-VB数据手册

H04N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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