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JCS10N65FT-R-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: JCS10N65FT-R-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS10N65FT-R-F-N-B-VB

JCS10N65FT-R-F-N-B-VB概述

    JCS10N65FT-R-F-N-B-VB 产品技术手册概述

    1. 产品简介


    JCS10N65FT-R-F-N-B-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg),是现代电源转换应用的理想选择。该器件的主要功能包括超低栅极电荷、低输入电容(Ciss)以及减小的开关损耗和导通损耗。它适用于多种高要求的应用场景,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明设备(包括高强度放电灯和荧光灯电子镇流器)等工业设备。

    2. 技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.45 Ω @ VGS=10 V, ID=4 A
    - 总栅极电荷 (Qg): 190 nC @ VGS=10 V, ID=4 A, VDS=520 V
    - 最大连续漏电流 (ID): 100 A @ TJ=25 °C, TC=100 °C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 90 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 45 W @ TJ=25 °C
    - 绝对最高工作温度 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 最大开关频率: 1 MHz

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 和 低栅极电荷:这使得器件在高频率下的运行更加高效,同时降低了总体功耗。
    - 高雪崩能力:允许器件在短路情况下具有更高的可靠性。
    - 优化的栅极电荷特性:减少开关损耗,提高能效。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:确保稳定输出和高效率,同时满足严格的安全标准。
    - 开关模式电源(SMPS):用于各类消费电子产品,提供高效且可靠的电力供应。
    - 功率因数校正电源(PFC):减少电网干扰,提高能源利用效率。
    - 照明:适用于高强度放电灯和荧光灯电子镇流器,实现高效能的照明解决方案。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑该 MOSFET 的散热需求,以避免过热。
    - 谨慎选择驱动电路,以确保 MOSFET 在安全的工作范围内运行。
    - 确保正确接地以减少寄生电感和噪声。

    5. 兼容性和支持


    - 该 MOSFET 与市场上常见的电源转换设备高度兼容,适用于各种标准设计。
    - 制造商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流下出现过热现象。
    解决办法:增加散热措施,如外加散热片或风扇。
    - 问题:启动时电压波动大。
    解决办法:检查驱动电路的设计,确保稳定供电。

    7. 总结和推荐


    JCS10N65FT-R-F-N-B-VB 是一款优秀的 N 沟道功率 MOSFET,具有高可靠性、高效的性能和广泛的适用范围。无论是用于服务器、通信设备还是工业应用,都能满足严苛的需求。鉴于其优异的性能和可靠性,强烈推荐使用。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

JCS10N65FT-R-F-N-B-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS10N65FT-R-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS10N65FT-R-F-N-B-VB JCS10N65FT-R-F-N-B-VB数据手册

JCS10N65FT-R-F-N-B-VB封装设计

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