处理中...

首页  >  产品百科  >  UF9Z34-VB

UF9Z34-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UF9Z34-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF9Z34-VB

UF9Z34-VB概述

    UF9Z34 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UF9Z34 是一款高性能的P沟道功率MOSFET,采用 TO-220AB 封装形式。它具备高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和良好的热稳定性等特点。UF9Z34 主要应用于负载开关等领域,适用于需要高电流和电压控制的应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压:VGS ± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):TC = 25°C 下为 -40 A;TC = 100°C 下为 -30 A
    - 脉冲漏极电流:IDM - 90 A
    - 续流二极管电流:IS - 30 A
    - 单脉冲雪崩电流:IAS - 28 A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS 7.2 mJ
    - 最大功耗:TC = 25°C 下为 60 W;TA = 25°C 下为 2 W
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg -55°C 至 175°C
    - 典型规格
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS - 60 V
    - 栅阈值电压:VGS(th) -1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流:IDSS -1 A
    - 开态漏极电流:ID(on) -10 A
    - 导通阻抗:VGS = -10 V, ID = -5 A 下为 80 mΩ
    - 转移电容:Ciss 1300 pF, Coss 120 pF, Crss 90 pF
    - 总栅极电荷:Qg 13 nC
    - 关断延时时间:td(off) 15 ns 至 25 ns
    - 反向恢复时间:trr 50 ns 至 80 ns

    产品特点和优势


    - 独特的技术优势:采用 TrenchFET® 技术,确保 100% 的UIS测试通过。
    - 优异的性能:低导通阻抗、高击穿电压、快速开关特性,确保在高压大电流环境下高效稳定运行。
    - 宽工作温度范围:能够在极端条件下保持良好性能,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:UF9Z34 常用于负载开关,尤其是在电力系统、工业控制等领域。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在高温环境下使用时需要考虑散热措施,建议选用合适的散热器以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UF9Z34 与多种电子设备兼容,但具体应用前需确认其与相关设备的电气参数匹配。
    - 技术支持:提供 400-655-8788 服务热线,解答用户的技术疑问并提供必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,如安装散热器或风扇。
    - 问题2:关断延时时间过长。
    - 解决办法:检查驱动电路,适当降低栅极电阻以加快开关速度。

    总结和推荐


    UF9Z34 P-Channel MOSFET 在多个方面表现出色,尤其适合高压大电流应用场合。其高可靠性、低导通电阻及快速开关特性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高性能 MOSFET 的应用场景,强烈推荐使用 UF9Z34。

UF9Z34-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@10V,74mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF9Z34-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF9Z34-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF9Z34-VB UF9Z34-VB数据手册

UF9Z34-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.2743
100+ ¥ 2.1058
500+ ¥ 2.0215
1000+ ¥ 1.9374
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.11
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504