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KIA65N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-KIA65N06-VB TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA65N06-VB

KIA65N06-VB概述

    KIA65N06 N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    KIA65N06 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 60-V(D-S)功率 MOSFET,主要应用于各种电源管理和驱动电路中。其具备高耐温特性、低导通电阻等优势,使其在高压环境下的可靠性表现尤为出色。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175°C):
    - TC = 25°C 时: 70 A
    - TC = 100°C 时: 50 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 持续源电流 (二极管导通): 50 A
    - 单次雪崩能量 (占空比 ≤ 1%): 125 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 136 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 175°C
    热阻率
    - 最大结到环境热阻 (瞬态 ≤ 10 秒): 15-18°C/W
    - 最大结到壳体热阻: 0.85-1.1°C/W
    静态参数
    - 击穿电压 (VDS): 60 V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 1-3 V
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 60 V)
    - 导通漏电流 (ID(on)): 60 A (VDS = 5 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时: 0.010 Ω
    - VGS = 4.5 V 时: 0.012 Ω
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 2650 pF
    - 输出电容 (Coss): 470 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 225 pF
    - 总门电荷 (Qg): 47-70 nC

    产品特点和优势


    1. 高耐温性能: KIA65N06 能在高达 175°C 的环境中正常工作,适合高温环境下的应用。
    2. 低导通电阻: 在标准条件下,其导通电阻 RDS(on) 仅为 0.010Ω,显著降低了功耗和发热。
    3. 快速开关特性: 该器件具有良好的开关速度特性,能有效减少开关损耗。

    应用案例和使用建议


    KIA65N06 主要应用于电源转换、电机驱动等领域。例如,在高效率的开关电源设计中,其出色的导通特性和耐温性能能够提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 为了充分利用其耐温性能,建议在高温环境下使用时,确保适当的散热措施。
    - 考虑到开关损耗,设计时可以采用较低的 VGS 以减小 Qg 带来的损失。

    兼容性和支持


    KIA65N06 具有良好的兼容性,能够与其他标准 N-Channel MOSFET 配合使用。厂商提供了丰富的技术支持文档,并设有服务热线 400-655-8788,为用户提供详细的技术支持和售后保障。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过高的温度导致的失效?
    - 解决办法: 使用合适的散热片,保持 MOSFET 在工作时的温度低于其绝对最大额定值。
    2. 问题:如何选择合适的 VGS 以实现最佳的性能?
    - 解决办法: 根据应用需求选择适当的 VGS。通常 VGS 在 10V 左右时,RDS(on) 达到最低。

    总结和推荐


    KIA65N06 是一款高性能的 N-Channel 60-V MOSFET,凭借其高耐温、低导通电阻及快速开关特性,非常适合用于高压环境下的电源管理和驱动电路。我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高性能的应用场合。

KIA65N06-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 75A
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V,12mΩ@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KIA65N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA65N06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA65N06-VB KIA65N06-VB数据手册

KIA65N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.2226
10+ ¥ 3.9742
30+ ¥ 3.547
100+ ¥ 2.6578
800+ ¥ 2.5584
2400+ ¥ 2.4839
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