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IPD14N03LBG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: IPD14N03LBG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD14N03LBG-VB

IPD14N03LBG-VB概述

    IPD14N03LBG N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD14N03LBG 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和直流转换应用。该产品属于TrenchFET® 功率MOSFET系列,具有高可靠性、高效率和低导通电阻的特点。主要功能包括电压调节、电流控制和开关操作。它广泛应用于服务器电源系统、DC/DC转换器及热插拔电源管理等领域。

    技术参数


    以下是IPD14N03LBG的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 | - | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.007 (VGS=10V) | - | Ω |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | 1 | - | µA |
    | 门极电荷 | Qg | - | 25 (VGS=4.5V) | 35 | nC |
    | 转换增益 | gfs | - | 160 | - | S |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | 2201 | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | - | 525 | - | pF |
    | 逆向转移电容 | Crss | - | 370 | - | pF |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压:30 V
    - 门源电压:± 20 V
    - 连续漏极电流:8 A(TC = 25°C)
    - 最大功耗:100 W(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证。
    2. 低导通电阻:典型值为0.007Ω(VGS=10V),确保低损耗。
    3. 宽工作温度范围:可承受从-55°C到175°C的工作温度。
    4. 符合RoHS标准:无铅设计,环保安全。

    应用案例和使用建议


    IPD14N03LBG 主要应用于服务器电源系统和DC/DC转换器。在实际应用中,它可以有效地进行电压调节和电流控制。为了达到最佳性能,建议在设计电路时尽量降低门极电阻(Rg)以减少开关损耗。此外,在高温环境下使用时应注意散热,避免过温导致的损坏。

    兼容性和支持


    IPD14N03LBG 支持广泛的电气特性,易于与其他标准电路板兼容。厂商提供详尽的技术支持,包括产品文档、应用指南和在线咨询服务,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间高电流工作导致发热严重。
    解决方法:增加外部散热片或采用更好的散热方案,如强制风冷。

    2. 问题:过压保护不足导致器件损坏。
    解决方法:添加外部稳压电路,确保工作电压不超过额定值。

    总结和推荐


    总体而言,IPD14N03LBG N-Channel 30-V MOSFET 是一款高可靠性的功率MOSFET,具备优异的性能和宽泛的应用范围。对于需要高效电源管理及高可靠性需求的应用场景,推荐使用此款产品。厂商提供的详细技术支持也使其成为值得信赖的选择。

IPD14N03LBG-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD14N03LBG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD14N03LBG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD14N03LBG-VB IPD14N03LBG-VB数据手册

IPD14N03LBG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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