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4N03L09-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 4N03L09-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N03L09-VB

4N03L09-VB概述


    产品简介


    4N03L09 N-Channel MOSFET
    4N03L09 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的TrenchFET®技术,广泛应用于服务器、直流/直流转换和其他电源管理领域。该MOSFET具有出色的开关性能和低导通电阻,特别适用于高频和高效率的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25 °C:25.8 A
    - TA = 70 °C:22 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8 mJ
    - 静态参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.005 Ω @ VGS = 10 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1 µA @ VDS = 30 V
    - 转移电导 (gfs):160 S
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):525 pF
    - 输出电容 (Coss):270 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):107 nC
    - 封装类型:TO-252
    - 热阻:RthJA = 32-40°C/W

    产品特点和优势


    - 先进的TrenchFET®技术:提供较低的导通电阻和高可靠性。
    - 100% Rg和UIS测试:确保器件在高应力条件下的稳定性和可靠性。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU标准,环保无铅。
    - 卓越的热管理能力:采用低热阻设计,提升散热性能。
    - 强大的电气性能:优秀的耐压能力和电流处理能力,适合多种严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing电路:用于服务器电源系统中的电源路径选择和保护。
    - 直流/直流转换器:适用于高频开关电源,提供高效能和低损耗的电源管理解决方案。
    使用建议:
    - 合理散热设计:由于该器件具有较高的电流处理能力,建议在高温环境下使用时加装散热片以保证正常运行。
    - 注意栅极驱动信号:为避免损坏,应使用适当的栅极电阻 (Rg) 和驱动电压进行控制。
    - 避免过载情况:尽量避免器件长时间处于额定电流上限附近工作,以防因过热而导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可广泛应用于各种电源管理和控制系统中,兼容大部分主流服务器和直流/直流转换器设计。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持,客户可通过其官方渠道获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET导通电阻过高。
    - 解决办法:检查栅极驱动电压是否足够,适当增加栅极驱动电压。
    2. 问题:器件过热。
    - 解决办法:加装散热片或散热器,改善散热条件。
    3. 问题:电路频繁出现异常关闭。
    - 解决办法:检查电路中是否存在干扰源,确保电源电压稳定。

    总结和推荐


    4N03L09是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、高电流处理能力和良好的热管理性能。其先进技术和出色的设计使其在服务器和直流/直流转换器等应用中表现出色。尽管在使用过程中需要注意合理的散热和驱动控制,但总体而言,这款器件是值得推荐的高性能电源管理解决方案。强烈推荐给需要高效电源管理的工业和企业用户。

4N03L09-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4N03L09-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N03L09-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N03L09-VB 4N03L09-VB数据手册

4N03L09-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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