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J578-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J578-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J578-VB

J578-VB概述

    # P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本文档介绍的是VBsemi公司的P-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这是一种P沟道的TrenchFET®功率MOSFET,广泛应用于负载开关等场景。
    主要功能
    - 高精度门极阈值电压控制
    - 低导通电阻
    - 高可靠性,100%UIS测试
    - 支持高电流应用
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 汽车电子
    - 工业自动化

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | 8 | A |
    | 门源电荷 | Qg | 19 | 38 | 56 | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0 | 0.0 | Ω |
    | 最大脉冲门极电流 | Ig | - | - | ± 100 | nA |
    | 门极-漏极电容 | Cgd | - | - | 10 | pF |
    | 门极-源极电容 | Cgs | - | - | 9 | pF |
    环境条件
    - 工作温度范围:-55至150°C
    - 最大栅源电压:±20V

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高效能TrenchFET®设计:采用先进的TrenchFET技术,能够提供较低的导通电阻和高效的开关性能。
    - 高可靠性:通过100%UIS测试确保产品的稳定性和耐用性。
    - 宽泛的工作温度范围:可在极端环境下稳定运行,适用于工业和汽车应用。
    市场竞争力
    - 低导通电阻:在典型应用下,漏源导通电阻可低至0.0欧姆,适合高效率应用。
    - 快速开关特性:由于低电容设计,开关速度快,降低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET非常适合用于负载开关,可以实现快速、可靠的切换操作。例如,在电动车充电系统中,这种MOSFET可以用于控制电池充电过程,提供高效且可靠的保护机制。
    使用建议
    - 热管理:由于其较高的功率耗散能力,建议在使用时考虑适当的散热措施,如安装散热片或使用高效的散热器。
    - 匹配电路设计:选择合适的驱动器和栅极电阻,以确保开关过程中达到最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    该MOSFET与多种电子设备兼容,可用于多种应用场景。具体兼容性请参考制造商的技术文档。
    厂商支持
    - 技术支持热线:400-655-8788
    - 在线资源:访问[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)获取更多详细资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热过高:确保使用足够的散热措施,如散热片或散热器。
    2. 门极损坏:正确连接驱动器和使用适当电阻以避免过高的门极电压。
    3. 性能不稳定:检查电路设计是否合理,确保电容、电阻和其他元件符合规格要求。
    解决方案
    - 增加散热器:确保足够的冷却,减少发热。
    - 调整驱动器参数:确保驱动器与MOSFET相匹配。
    - 重新检查电路设计:仔细核对各元件参数和电路布局。

    总结和推荐


    综合评估
    该P-Channel 60-V MOSFET是一款高性能、可靠的产品,适合多种应用。其低导通电阻、高效开关特性和广泛的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐使用
    基于其卓越的性能和广泛应用场景,强烈推荐使用这款MOSFET,尤其是在需要高效率和可靠性的场合。对于需要进行精确温度管理和复杂电路设计的应用,建议进一步咨询技术支持。

J578-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J578-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J578-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J578-VB J578-VB数据手册

J578-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
1000+ ¥ 1.1597
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