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UD4P20G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: UD4P20G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD4P20G-S08-R-VB

UD4P20G-S08-R-VB概述

    Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    该产品是一款双沟道P沟道30V MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列,已通过100% UIS测试。主要用于负载开关应用,广泛应用于各种电力电子设备中。该产品无卤素材料,具有出色的电气特性和高可靠性,符合RoHS标准。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):-7.3A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-32A
    - 最大功率耗散 (PD):5.0W(TC=25°C)
    - 热阻抗 (RthJA):50°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):-1.0V 至 -3.0V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.029Ω(VGS=-10V, ID=-6.3A),0.039Ω(VGS=-4.5V, ID=-6.2A)
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):-1µA(VDS=-30V, VGS=0V)
    - 反向恢复时间 (trr):34至60ns(IS=-2A, dI/dt=100A/μs, TJ=25°C)

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:环保且降低对环境的影响。
    - 100% UIS测试:确保产品质量和可靠性。
    - 低导通电阻:提供低功耗操作。
    - 高耐压:适用于高压应用场合。
    - 出色的动态性能:快速的开关时间和低的寄生电容。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于负载开关,例如电源管理电路中。
    - 使用建议:
    - 确保MOSFET在合适的温度范围内工作,避免过高的温度导致性能下降。
    - 在使用过程中注意散热设计,以避免热损坏。
    - 根据负载需求选择合适的驱动电压和电流,以达到最佳的工作状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的多种电路板兼容,可直接替换。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括在线文档、应用指南和客户支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的驱动电压?
    - 解决方案:根据具体的应用需求,查阅数据表中的“门源阈值电压”和“导通电阻”参数,选择合适的驱动电压以实现最佳性能。
    - 问题2:如何改善散热效果?
    - 解决方案:增加散热片或者采用外部冷却系统,如散热风扇或散热器,以提高热传导效率。

    总结和推荐


    该Dual P-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能参数、环保设计和良好的市场应用前景,非常适合用于高压、高速开关应用中。无论是负载开关还是电源管理电路,都能发挥出卓越的效果。强烈推荐使用此产品以提升电路的整体性能和可靠性。

UD4P20G-S08-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD4P20G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD4P20G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD4P20G-S08-R-VB UD4P20G-S08-R-VB数据手册

UD4P20G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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