处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS7N65F-O-F-N-B-VB

JCS7N65F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N65F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N65F-O-F-N-B-VB

JCS7N65F-O-F-N-B-VB概述

    JCS7N65F-O-F-N-B Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    JCS7N65F-O-F-N-B 是一款高性能 N-沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于高电压、大电流的应用场景。它集低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg)于一体,能够有效降低开关损耗和导通损耗。该产品广泛应用于服务器及电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯管)等工业应用中。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V @ TJmax
    - 最大连续漏极电流 (ID):在 10 V VGS 下,TC = 25 °C 时为 17.0 A,TC = 100 °C 时为 1.0 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):重复额定值;脉冲宽度受限于最高结温
    - 最大漏源击穿电压 (BVDS):650 V
    - 最大工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 +150 °C
    - 最大工作结至环境热阻 (RthJA):63 °C/W
    - 最大工作结至外壳(漏极)热阻 (RthJC):0.6 °C/W
    - 典型参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 10 V VGS 下为 1.0 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):13.0 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):10.0 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):15.0 nC
    - 反向恢复时间 (trr):在 25 °C 下,IF = IS = 4 A,dI/dt = 100 A/μs,VR = 400 V 时为 190 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):2.3 μC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 10 V VGS 下仅为 1.0 Ω,显著降低了导通损耗。
    - 低输入电容:输入电容 (Ciss) 小,可减少驱动损耗,提高工作效率。
    - 超低栅极电荷:典型值为 13.0 nC,大大减少了开关损耗。
    - 高可靠性:支持高脉冲电流和高重复性单脉冲雪崩能量 (EAS),适用于高功率需求的工业应用。
    - 低热阻:具有良好的散热性能,确保在高功率应用中长期稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS7N65F-O-F-N-B 在多种高功率应用中表现出色,特别是在服务器及电信电源系统中。对于这类应用,建议采用低热阻的 PCB 布局设计,以最大化散热效果。同时,考虑到高电流和高频开关的需求,应当选择合适的驱动电路和布局,以避免过高的栅极驱动电平造成的开关振荡和噪声。

    5. 兼容性和支持


    该产品符合 RoHS 和无卤素标准,适用于需要环保要求的电子产品。厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够快速解决问题并获得最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关过程中的振荡现象。
    - 解决方案: 使用低寄生电感的 PCB 设计,添加接地平面,并使用低泄漏电感的电流互感器。
    - 问题 2: 高频工作下的热稳定性问题。
    - 解决方案: 通过增加散热片或采用强制风冷系统来提高散热效率。
    - 问题 3: 开关速度过快导致的电流尖峰问题。
    - 解决方案: 调整栅极电阻 (Rg) 来控制 dV/dt 速率,同时使用相同类型的驱动器来保证电流和电压的稳定。

    7. 总结和推荐


    JCS7N65F-O-F-N-B 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,具备出色的导通特性和低功耗特性,在高功率应用中表现优异。对于需要高效能和高可靠性的服务器及电信电源系统,以及工业照明系统等场合,该产品是理想的选择。总体而言,强烈推荐使用此产品,它不仅能提升系统的整体性能,还能显著降低能耗。

JCS7N65F-O-F-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N65F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N65F-O-F-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N65F-O-F-N-B-VB JCS7N65F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS7N65F-O-F-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0