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NK2302AA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: NK2302AA-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NK2302AA-VB

NK2302AA-VB概述

    NK2302AA N-Channel 20V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NK2302AA 是一款N沟道20V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET® Power MOSFET技术。这款器件具有多种优点,适用于多种应用场合,例如DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。其设计符合RoHS指令2002/95/EC和IEC 61249-2-21标准,确保环保且安全。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 12V
    - 漏源电压 \( V{DS} \):20V
    - 漏极连续电流 \( ID \):6A(25°C时)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):20A
    - 源极-漏极二极管电流 \( IS \):1.75A(25°C时)
    - 电阻与电容:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.028Ω @ VGS = 4.5V,0.042Ω @ VGS = 2.5V,0.050Ω @ VGS = 1.8V
    - 总栅电荷 \( Qg \):8.8nC @ VGS = 4.5V,ID = 5.0A
    - 动态参数:
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \):8ns @ VDD = 10V,RL = 2.2Ω,ID ≈ 4A,VGEN = 4.5V,Rg = 1Ω
    - 上升时间 \( tr \):17ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \):31ns
    - 下降时间 \( tf \):8ns
    - 温度参数:
    - 工作结温范围 \( TJ \):-55°C 至 150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \):80°C/W (最大)


    3. 产品特点和优势


    NK2302AA 具有以下独特优势:
    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 非常低,有助于减少功率损耗和提高效率。
    - 高可靠性:100% \( Rg \) 测试保证了每个单元的品质。
    - 环境友好:无卤素,符合RoHS标准。
    - 快速开关速度:拥有低的开启和关闭延时时间及上升时间,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NK2302AA 在各种DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关中有着广泛应用。在实际应用中,可以考虑如下建议:
    - 热管理:由于工作温度范围较宽,确保良好的散热设计以维持稳定的工作温度。
    - 电源匹配:根据实际需求选择合适的电源电压,以达到最佳的性能表现。

    5. 兼容性和支持


    NK2302AA 可以方便地安装在标准的SOT-23封装中,确保了广泛的兼容性。同时,制造商提供全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决任何使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或风扇来降低器件的工作温度。

    - 问题:电路启动时出现不稳定。
    - 解决方案:检查并优化电路布局,确保合理的接地和电源连接,避免信号干扰。

    7. 总结和推荐


    NK2302AA N-Channel 20V (D-S) MOSFET是一款高效、可靠的产品,特别适合于需要低电阻和高速开关的应用场景。其独特的特性和广泛的应用前景使其在市场上具备强大的竞争力。综上所述,强烈推荐使用该产品,尤其是在DC/DC转换器和便携式设备中。
    此技术手册解析旨在为用户提供详细的NK2302AA MOSFET产品的特性和应用信息,希望对您有所帮助。

NK2302AA-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
Vgs-栅源极电压 8V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NK2302AA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NK2302AA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NK2302AA-VB NK2302AA-VB数据手册

NK2302AA-VB封装设计

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