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IRFH5302DTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)一款单 N 型场效应晶体管,适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。
供应商型号: IRFH5302DTRPBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH5302DTRPBF-VB

IRFH5302DTRPBF-VB概述

    IRFH5302DTRPBF-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFH5302DTRPBF-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道30V(D-S)功率MOSFET,型号为IRFH5302DTRPBF-VB。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有极低的导通电阻和出色的电流承载能力,适用于OR-ing、服务器等多种应用场景。产品广泛应用于各种工业控制系统、通信设备和服务器等领域。

    2. 技术参数


    IRFH5302DTRPBF-VB 的主要技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 175 °C):160A (TA = 25 °C),90A (TA = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):300A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):64.8 mJ
    - 漏源体二极管最大反向恢复时间 (trr):78 ns
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.5 V ~ 2.5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.0018Ω (VGS = 10 V),0.0025Ω (VGS = 4.5 V)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:TrenchFET®技术提供了更低的导通电阻和更高的电流承载能力,大大提高了效率。
    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试,确保产品的可靠性和耐用性。
    - 低功耗:低漏源导通电阻(RDS(on))保证了较低的功耗,有助于提高系统的整体能效。
    - 宽温度范围:在-55°C到175°C的宽温度范围内仍能保持稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFH5302DTRPBF-VB 广泛应用于以下场景:
    - OR-ing应用:用于电源管理系统的保护和切换,能够承受高电流冲击。
    - 服务器应用:在高密度计算环境中,提供高效且可靠的电流控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动电压 (VGS)。
    - 注意散热设计,避免因过热导致的损坏。建议在使用过程中添加适当的散热措施,如散热片或散热风扇。

    5. 兼容性和支持


    IRFH5302DTRPBF-VB 与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性,可直接替换现有的N沟道MOSFET。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方热线 400-655-8788 获取更多技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动延迟时间 (td(on)) 过长。
    - 解决方案:检查栅极电阻 (Rg) 是否设置得过大,适当降低Rg值可以缩短启动延迟时间。

    - 问题2:过高的漏源导通电阻 (RDS(on))。
    - 解决方案:确认栅极驱动电压 (VGS) 是否达到要求的阈值电压 (VGS(th)),调整驱动电压以获得最佳性能。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFH5302DTRPBF-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合用于需要高电流承载能力和低功耗的应用场合。其优异的性能指标和广泛的适用性使其成为各种工业和商业应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用该产品。

IRFH5302DTRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 160A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH5302DTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH5302DTRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH5302DTRPBF-VB IRFH5302DTRPBF-VB数据手册

IRFH5302DTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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