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IRFS740B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: IRFS740B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS740B-VB

IRFS740B-VB概述

    IRFS740B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFS740B-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为 550V。这款 MOSFET 主要应用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接设备、感应加热、电机驱动、电池充电器以及开关模式电源(SMPS)等领域。该器件以其低输入电容(Ciss)、快速开关特性和低导通电阻(RDS(on))而著称,能够在多种高功率应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 额定漏源电压(VDS): 550V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 脉冲漏电流(IDM): 56A
    - 最大功耗(PD): 60W
    - 最大功率降额因子: 2.2W/°C
    - 静态参数
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2 - 4V
    - 零栅源电压漏电流(IDSS): 1μA(VDS = 500V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.26Ω(VGS = 10V,ID = 10A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 3094pF(VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 152pF
    - 反向转移电容(Crss): 13pF
    - 总栅极电荷(Qg): 150nC(VGS = 10V,ID = 10A,VDS = 400V)
    - 开启延迟时间(td(on)): 24 - 50ns(VDD = 400V,ID = 10A,VGS = 10V,Rg = 9.1Ω)
    - 关闭延迟时间(td(off)): 117 - 176ns
    - 热阻参数
    - 最大结壳热阻(RthJC): 0.45°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 优化设计
    - 低面积特定导通电阻(低Area Specific On-Resistance)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少电容切换损耗(Reduced Capacitive Switching Losses)
    - 高体二极管坚固性(High Body Diode Ruggedness)
    - 冲击能量等级(Avalanche Energy Rated, UIS)
    - 优化效率和操作
    - 低成本
    - 简单栅极驱动电路
    - 低优值系数(FOM: Ron x Qg)
    - 快速开关

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子
    - 用于液晶显示器(LCD)或等离子电视(Plasma TV)的显示模块。
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 作为开关模式电源(SMPS)的一部分,用于提供高效稳定的电力输出。
    - 工业应用
    - 用于焊接和感应加热过程,以及电机驱动系统。

    - 电池充电器
    - 适用于电池充电器的设计,以确保高效充电。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,如电机驱动和感应加热,需要考虑散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    - 在快速开关应用中,应注意驱动电路的设计,以确保信号的准确传输。

    5. 兼容性和支持


    - 该 MOSFET 与常见的栅极驱动电路兼容,能够轻松集成到现有的电路设计中。
    - 厂商提供了详尽的技术支持文档,包括应用指南和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下运行时出现过热现象。
    - 解决方案: 增加散热片或风扇进行散热,确保电路板通风良好。
    - 问题2: 设备在开关过程中出现振荡。
    - 解决方案: 检查栅极电阻(Rg)值是否合适,必要时增加栅极电阻以减缓信号转换速度。
    - 问题3: 设备启动时无法正常工作。
    - 解决方案: 检查电源电压和接线,确保没有错误连接或短路。

    7. 总结和推荐


    IRFS740B-VB 是一款高性价比的 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻、低输入电容和快速开关能力,特别适合于高功率和高频应用场合。它在消费电子、工业控制和电源管理等领域有着广泛的应用前景。因此,我们强烈推荐该产品给那些寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

IRFS740B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 550V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFS740B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS740B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS740B-VB IRFS740B-VB数据手册

IRFS740B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.1826
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