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IPP60R250CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: IPP60R250CP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R250CP-VB

IPP60R250CP-VB概述


    产品简介


    IPP60R250CP-VB 是一款高性能的N沟道超结MOSFET,设计用于多种应用场景。它具备出色的开关特性和低导通电阻,适用于服务器电源、电信设备、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、消费电子、计算设备(如ATX电源)、工业设备(如焊接机和电池充电器)、可再生能源(如光伏逆变器)以及开关模式电源(SMPS)。该产品以其高效的电气性能和广泛的应用领域而著称。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源击穿电压 VDS | 650 V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.19 Ω |
    | 最大输入电容 Ciss | 2322 pF |
    | 有效输出电容 Co(er) | 84 pF |
    | 门极电荷 Qg | 71 nC |
    | 门极-源极电荷 Qgs | 14 nC |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | 33 nC |
    | 反向恢复时间 trr | 160 ns |
    | 反向恢复电荷 Qrr | 1.2 μC |
    | 反向恢复电流 IRRM | 14 A |

    产品特点和优势


    IPP60R250CP-VB 的主要特点是:
    - 低开关损耗:得益于低反向恢复时间和低 Qrr,该 MOSFET 能够显著减少开关过程中的能量损失。
    - 高可靠性:具有高雪崩能量(UIS)评级,确保在高压脉冲下稳定运行。
    - 快速开关:通过优化的门极电荷,实现快速的开关速度。
    - 低栅极电阻:门极输入电阻仅为 0.78 Ω,有利于快速充电和放电,减少驱动功率需求。

    应用案例和使用建议


    该产品被广泛应用于多种领域,如服务器电源、通信设备、照明系统、ATX 电源、工业焊接设备、太阳能逆变器和开关模式电源。对于具体应用场景,例如在服务器电源中的使用,可以通过优化电路布局来进一步提高效率,减少热量产生。另外,在选择外围元件时应注意匹配门极驱动器,以确保快速开关和最小化的开关损耗。

    兼容性和支持


    IPP60R250CP-VB 与市场上主流的电子元器件高度兼容,可轻松集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于应用咨询、故障排除和技术文档下载。若有任何问题,可通过服务热线 400-655-8788 或官网 www.VBsemi.com 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热器并注意电路板布局,以提高散热效率。
    2. 问题:驱动信号不稳定导致开关损耗增加。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保正确的门极电阻值,并确认驱动器能够提供足够的驱动电流。
    3. 问题:高频操作下的振荡现象。
    - 解决方案:添加必要的去耦电容和门极电阻,优化电路布局,减少杂散电感。

    总结和推荐


    IPP60R250CP-VB 在多个方面表现出色,不仅具备低损耗和高可靠性的特点,还拥有广泛的应用范围和强大的技术支持。无论是工业还是消费电子产品中,这款 MOSFET 都是理想的解决方案。我们强烈推荐这一产品,特别是在需要高效能和高可靠性的应用场合。

IPP60R250CP-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP60R250CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R250CP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP60R250CP-VB IPP60R250CP-VB数据手册

IPP60R250CP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
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