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J377-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J377-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J377-Z-VB

J377-Z-VB概述

    J377-Z P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    J377-Z 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于负载开关和其他需要高可靠性的应用。这款 MOSFET 使用先进的 TrenchFET® 技术制造,确保了低导通电阻和高电流处理能力。它主要应用于负载开关、电源管理和控制电路等领域。

    技术参数


    以下是 J377-Z 的主要技术规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS):60 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-30 A (TJ = 175 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-30 A
    - 最高功率耗散 (PD):4 W (TA = 25 °C)
    - 热阻 (RthJA):20 °C/W (瞬态),62 °C/W (稳态)
    - 栅源漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):-1 A (VDS = -60 V)
    - 开启电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V, ID = -5 A 时:0.061 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V, ID = -2 A 时:0.072 Ω
    - 输入电容 (Ciss):1000 pF
    - 输出电容 (Coss):120 pF
    - 反向传输电容 (Crss):100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC

    产品特点和优势


    J377-Z 具有以下显著特点和优势:
    1. 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,确保产品在高温下的稳定性。
    2. 低导通电阻:在不同温度下保持较低的导通电阻,提高了能效。
    3. 高电流处理能力:最大连续漏极电流为 -30 A,适合高功率应用。
    4. 快速开关时间:开关延迟时间低至 6 ns,提高了电路的响应速度。

    应用案例和使用建议


    J377-Z 主要用于负载开关和电源管理应用。例如,在电池供电的设备中作为负载开关来控制电流的通断。使用建议如下:
    1. 应用在电池供电设备:由于其低功耗特性,非常适合在便携式设备中使用。
    2. 并联使用以提高电流处理能力:当需要更高电流时,可以将多个 MOSFET 并联使用。
    3. 注意散热:在高功率应用中,应确保良好的散热措施以防止过热损坏。

    兼容性和支持


    J377-Z 采用 TO-252 封装,适合表面贴装。它与标准 PCB 设计兼容,便于集成到现有系统中。厂商提供技术支持和售后服务,帮助客户解决应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. MOSFET 发热严重:检查电路设计,确保适当的散热措施。
    2. 无法正常开关:检查栅极驱动信号是否正确,确保电压范围符合要求。
    3. 漏电流过大:检查焊接和接触情况,确保良好连接。

    总结和推荐


    J377-Z P 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关时间,非常适合于负载开关和电源管理应用。其高可靠性使其成为工业和消费电子应用的理想选择。鉴于其优秀的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 J377-Z 在您的项目中使用。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务团队。

J377-Z-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 38A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J377-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J377-Z-VB数据手册

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J377-Z-VB封装设计

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