处理中...

首页  >  产品百科  >  FH5104-VB

FH5104-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,123A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: FH5104-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FH5104-VB

FH5104-VB概述

    FH5104-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FH5104-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 40V(D-S)功率 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术。这款 MOSFET 主要应用于同步整流和次级侧 DC/DC 转换等场合。由于其低导通电阻(RDS(on)),适合用于需要高效率和小损耗的应用场合。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 40 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150°C): 120 A (TC = 25°C), 80 A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 360 A (TC = 25°C), 216 A (TC = 70°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 40 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 80 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 83 W (TC = 70°C 53 W)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 18°C/W (最大值为 23°C/W)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 1.0°C/W (最大值为 1.5°C/W)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 40 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.0025 Ω (VGS = 10 V, ID = 20 A), 0.0028 Ω (VGS = 6.5 V, ID = 20 A)
    - 前进跨导 (gfs): 102 S (VDS = 15 V, ID = 20 A)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 4750 pF (VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 610 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 275 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 78 nC (VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 20 A)

    3. 产品特点和优势


    FH5104-VB 具有以下几个显著特点:
    - 低导通电阻:0.0025 Ω(VGS = 10 V, ID = 20 A)和 0.0028 Ω(VGS = 6.5 V, ID = 20 A),保证了高效的能量传输。
    - 无卤材料:符合 IEC 61249-2-21 标准定义,适用于对环保要求高的应用场景。
    - 100% 测试:所有产品均经过栅极电阻测试和单脉冲雪崩测试,确保产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    FH5104-VB 可广泛应用于各种高效率电路设计中,特别是在同步整流和次级侧 DC/DC 转换电路中。根据手册中的典型特性曲线,以下是一些使用建议:
    - 优化应用:在设计同步整流电路时,应选择适当的 VGS 以实现最低的 RDS(on),从而减少能量损耗。
    - 热管理:由于最大功率耗散较高,应考虑良好的散热措施,避免器件因过热而损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FH5104-VB 具有标准引脚配置,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全方位的技术支持,包括样品申请、技术支持热线 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流环境下,MOSFET 过热。
    - 解决方案:增加散热片或散热风扇,提高散热效果。
    - 问题2:电路启动延迟时间较长。
    - 解决方案:调整外部电阻(Rg)和电源电压(VGEN),以优化启动延迟时间和上升时间。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FH5104-VB N-Channel 40-V MOSFET 具有低导通电阻、无卤材料和高效能等特点,适用于高效率电路设计。我们强烈推荐在需要高效率和小损耗的应用场合中使用此款 MOSFET。

FH5104-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 123A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FH5104-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FH5104-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FH5104-VB FH5104-VB数据手册

FH5104-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 4.9667
5000+ ¥ 4.7507
库存: 400000
起订量: 10 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0