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N4009L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: N4009L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N4009L-VB

N4009L-VB概述


    产品简介


    N4009L 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这种类型的 MOSFET 主要用于同步整流和电源管理等领域。N4009L 在高压环境中表现出色,具有低导通电阻和高开关频率的特点,使其成为高效电源转换应用的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压:VDS(漏源电压)最大为 4 V。
    - 导通电阻:
    - VGS = 10 V 时,RDS(on) 为 0.0050 Ω。
    - VGS = 4.5 V 时,RDS(on) 为 0.0065 Ω。
    - 连续漏极电流:ID(最大)在不同温度下的额定值分别为:
    - TC = 25 °C 时为 85 A。
    - TC = 70 °C 时为 70 A。
    - 脉冲漏极电流:IDM 最大为 250 A。
    - 最大单脉冲雪崩能量:EAS 为 320 mJ。
    - 输入电容:Ciss 为 2380 pF。
    - 输出电容:Coss 为 550 pF。
    - 反向传输电容:Crss 为 250 pF。
    - 总栅极电荷:Qg 最大为 120 nC。
    - 门到源栅电荷:Qgs 为 20 nC。
    - 门到漏栅电荷:Qgd 为 12 nC。
    - 门电阻:Rg 最大为 1.3 Ω。
    - 反向恢复时间:trr 最大为 75 ns。
    - 反向恢复电荷:Qrr 最大为 105 nC。
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C。
    - 热阻:RthJA 最大为 40°C/W;RthJC 最大为 0.4°C/W。

    产品特点和优势


    N4009L 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:在不同工作电压和电流条件下,导通电阻保持较低,有助于降低功耗和提高效率。
    - 高可靠性:通过 100% Rg 和 UIS 测试,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 快速开关:具有较短的上升时间和下降时间,适用于高频电路设计。
    - 高电流能力:能承受较大的连续和脉冲电流,适用于需要高功率输出的应用场景。
    - 宽温度范围:能够在极端环境下正常工作,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N4009L 主要应用于同步整流和电源管理领域,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电机驱动器。在这些应用中,它的高效率和快速响应特性可以有效提升系统的整体性能。
    使用建议
    - 散热管理:由于其高功率处理能力,建议在设计时充分考虑散热措施,如增加散热片或采用主动冷却系统。
    - 电路布局:考虑到其高频特性和寄生电容的影响,建议在 PCB 布局时尽量缩短引脚长度,减少杂散电感,以避免信号完整性问题。
    - 栅极驱动:适当选择栅极电阻(Rg),可以有效控制开关速度和降低功耗。建议使用专用的栅极驱动器以确保稳定的驱动信号。

    兼容性和支持


    N4009L 具有良好的兼容性,可以方便地与其他标准的表面贴装封装兼容。VBsemi 提供全方位的技术支持,包括详细的资料文档、参考设计以及在线技术支持服务,以帮助用户顺利实施设计方案。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET 的导通电阻是否会明显增加?
    - 解决方案:是的,在高温下导通电阻会有所增加。根据技术手册的数据,当温度升高至 150°C 时,导通电阻可能会显著上升。为了缓解这一影响,建议采用良好的散热设计,确保工作温度维持在合理范围内。
    - 问题:如何避免 MOSFET 因过压损坏?
    - 解决方案:使用适当的保护电路来限制漏源电压。通常可以使用瞬态电压抑制器(TVS)或其他过压保护器件来防止过压损害。

    总结和推荐


    N4009L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适合于各种高要求的应用场合。其低导通电阻、高可靠性、快速开关特性和宽工作温度范围使它成为众多电力电子应用中的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高性能的电路设计中使用 N4009L。

N4009L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Id-连续漏极电流 85A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N4009L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N4009L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N4009L-VB N4009L-VB数据手册

N4009L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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