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IPD60R600P6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IPD60R600P6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R600P6-VB

IPD60R600P6-VB概述

    # 电子元器件技术手册

    产品简介


    产品类型
    本手册介绍了VBsemi公司的IPD60R600P6型号的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管)。MOSFET是一种电压控制型电子开关,广泛应用于电力转换和控制系统中。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss)以降低开关损耗。
    - 高耐压能力和可靠性。
    应用领域
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)
    - 工业设备

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):最大值为650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2 - 4V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):最大值为10μA (VDS=520V, VGS=0V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为0.5Ω (VGS=10V)
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):最大值为1471pF
    - 输出电容 (Coss):无具体数值
    - 门极电荷 (Qg):最大值为16nC (VDS=520V)
    - 门极-源极电荷 (Qgs):最大值为3.5nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):最大值为4nC
    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 持续漏极电流 (TJ=150°C):最大值为40A (VGS=10V)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):87mJ
    - 最大功耗 (PD):6W
    热阻抗
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):63°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.6°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:具有低导通电阻特性,有效减少导通损耗。
    - 低输入电容:输入电容低,降低开关损耗。
    - 超低栅极电荷:栅极电荷小,提高开关速度。
    - 高可靠性:满足高耐压和雪崩能力的要求,在恶劣条件下仍能保持稳定运行。

    应用案例和使用建议


    使用案例
    - 服务器和电信电源系统:在电源管理系统中,IPD60R600P6可以高效地处理高压大电流,确保电源供应的稳定性和效率。
    - 照明系统:例如在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,通过高效的开关和稳压,实现更长寿命和更好的亮度调节效果。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功耗和高结温限制,需要良好的散热措施,例如使用散热片或风扇。
    - 电路布局:为了减少杂散电感,应避免长引线和复杂的电路布局,保持电路简单且紧凑。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IPD60R600P6与多数标准电源系统的接口兼容,适用于各种电源拓扑结构,如降压、升压和反激式变换器。
    支持
    - 提供详细的安装和使用手册,以及相关的技术支持和售后服务。如有任何问题,可通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    问题及解决方案
    1. 问:栅极驱动电压过高导致MOSFET损坏
    - 答:检查驱动电路,确保栅极驱动电压不超过最大额定值(±30V),并添加合适的栅极电阻。
    2. 问:导通电阻过大致使发热严重
    - 答:选择合适的驱动条件,确保VGS达到最佳导通状态,并增加散热装置,如散热片。
    3. 问:输出功率不足
    - 答:确认输入电压和电流是否符合要求,同时检查电路连接和元器件参数,确保所有设置都在规定的范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    IPD60R600P6是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻、低输入电容和高耐压特性,适合多种电力转换应用。此外,其可靠的性能和优秀的开关特性使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐
    鉴于其出色的性能和适用范围,强烈推荐使用IPD60R600P6型号MOSFET,尤其适用于高压大电流的应用场景,如服务器电源、通信设备及工业控制系统。

IPD60R600P6-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R600P6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R600P6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R600P6-VB IPD60R600P6-VB数据手册

IPD60R600P6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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起订量: 10 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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