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FSS262-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: FSS262-TL-E-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FSS262-TL-E-VB

FSS262-TL-E-VB概述

    FSS262-TL-E N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FSS262-TL-E 是一款 N-沟道 MOSFET,专为高侧同步整流操作优化设计。该产品属于功率 MOSFET,具有无卤素特性,适用于笔记本CPU核心的高侧开关等应用。它的关键特性包括低导通电阻、高效能及出色的热稳定性。

    技术参数


    | 参数名称 | 规格 |

    | 漏极-源极电压 (VDS) | 30 V |
    | 连续漏极电流 (TJ=150°C) | 13 A @ TC=25°C |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 45 A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 4.1 W @ TC=25°C|
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55°C 到 150°C |

    产品特点和优势


    FSS262-TL-E 具有以下显著特点和优势:
    1. 无卤素:满足环保要求,广泛应用于各类电子产品中。
    2. TrenchFET® 技术:优化了高侧同步整流的操作性能,提升了整体效率。
    3. 100% 测试:确保所有产品的可靠性,包括栅极电阻测试(100% Rg)和雪崩能量测试(100% UIS)。
    4. 超低导通电阻:RDS(on) 最小可达 0.008Ω(VGS=10V),在多种工作条件下表现优异。

    应用案例和使用建议


    FSS262-TL-E 主要应用于笔记本CPU核心的高侧开关中。对于设计人员,我们推荐以下使用建议:
    1. 散热管理:考虑适当的散热措施,以确保长时间运行时的稳定性和可靠性。
    2. 驱动电路设计:由于该MOSFET在高侧应用中需要特定的驱动条件,建议采用合适的驱动器来确保快速开关。
    3. 环境适应性:在极端温度环境下使用时,需特别注意其最大功率耗散值,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    FSS262-TL-E 采用标准SO-8封装,与市场上常见的主板和电路板设计高度兼容。制造商提供了详细的技术支持和售后保障,包括定期的产品更新和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保长期可靠性?
    - 答:通过选择适当的散热方案和确保正确的安装方式,可以有效提高产品的长期可靠性。

    2. 问:如何选择合适的驱动器?
    - 答:参考数据手册中的驱动要求,确保所选驱动器能够提供足够的电流和电压来满足MOSFET的工作需求。

    总结和推荐


    FSS262-TL-E 是一款高性能的N-沟道MOSFET,具备出色的热稳定性、低导通电阻和环保特性。它在笔记本CPU核心高侧开关应用中表现出色,且通过优化设计使其在多种工作条件下均能保持最佳性能。因此,我们强烈推荐此产品给设计人员和工程师,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。

FSS262-TL-E-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FSS262-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FSS262-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FSS262-TL-E-VB FSS262-TL-E-VB数据手册

FSS262-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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