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IPB100N08S2L-07-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IPB100N08S2L-07-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB100N08S2L-07-VB

IPB100N08S2L-07-VB概述

    IPB100N08S2L-07-VB N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPB100N08S2L-07-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ThunderFET® 技术提供支持。该器件主要用于高功率开关应用,如电源管理和电机控制等领域。ThunderFET® 技术确保了器件的高效能和可靠性,能够在广泛的温度范围内稳定工作。

    2. 技术参数


    以下是 IPB100N08S2L-07-VB 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 80 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150 °C) | ID | 120 | - | 25 °C时 65 | A |
    | 脉冲漏极电流(t = 100 μs) | IDM | 225 | - | - | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | - | - | 50 | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | - | - | 125 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25 °C) | PD | - | - | 370 | W |
    | 操作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 结到环境热阻(PCB安装) | RthJA | - | - | 40 | °C/W |
    | 结到外壳(漏极)热阻 | RthJC | - | - | 0.75 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:该技术确保了更高的性能和可靠性,适用于高功率应用。
    - 高工作温度范围:结点温度最高可达175 °C,适合在极端环境条件下使用。
    - 全面测试:100% 阻抗(Rg)和雪崩击穿电压(UIS)测试,确保产品的质量和一致性。
    - 高可靠性:即使在极端条件下,也能保证稳定的性能和长寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:广泛应用于电源转换器和逆变器中,以实现高效和可靠的功率传输。
    - 电机控制:适用于电机驱动系统,提高系统的稳定性和效率。
    - 照明系统:用于 LED 照明系统的开关电路,提高能效和延长使用寿命。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,确保良好的热管理。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以避免过高的栅极电压导致的损坏。
    - 在实际应用中,应根据具体需求选择合适的封装形式,以满足空间和性能要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的 PCB 板材料兼容,适用于各种标准的 PCB 设计。
    - 厂商支持:提供详细的技术支持和维护文档,客户可以通过服务热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确连接引脚?
    解决方案:参照技术手册中的引脚图和布局指南进行连接。
    - 问题2:如何进行有效的热管理?
    解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热传导。
    - 问题3:如何测试产品的功能?
    解决方案:参考技术手册中的测试条件和方法,确保符合规定的参数要求。

    7. 总结和推荐


    总体评价:
    IPB100N08S2L-07-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的耐高温特性和稳定性。其 ThunderFET® 技术使其在高功率应用中表现出色,广泛应用于电源管理和电机控制等领域。对于需要高性能和高可靠性的项目,我们强烈推荐使用此产品。
    结论:
    IPB100N08S2L-07-VB MOSFET 以其卓越的性能、可靠性和广泛的适用性,成为众多工程师的首选。我们强烈推荐该产品,特别是在高功率和高温应用环境中。

IPB100N08S2L-07-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB100N08S2L-07-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB100N08S2L-07-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB100N08S2L-07-VB IPB100N08S2L-07-VB数据手册

IPB100N08S2L-07-VB封装设计

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