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NP80N055KHE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。
供应商型号: NP80N055KHE-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N055KHE-VB

NP80N055KHE-VB概述

    文章标题:NP80N055KHE N-Channel 40V MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    NP80N055KHE 是一款高性能 N 沟道 40V(D-S)功率 MOSFET,采用 ThunderFET® 技术制造。作为VBsemi公司推出的创新产品,这款器件在高效率和低导通电阻方面表现出色,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信领域。它的核心功能在于提供卓越的开关性能和高可靠性,特别是在高频和高温环境下具有优异的表现。
    主要特点:
    - 最大工作温度可达 175°C。
    - 具备 Rg 和 UIS 测试认证。
    - 符合无卤素和RoHS标准。

    2. 技术参数


    以下是 NP80N055KHE 的关键性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 40 | - | - | V |
    | 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | - | 3 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.9 | 1.9 | 3.8 | Ω |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 100 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 220 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.005 | - | 0.006 | Ω |
    其他电气参数:
    - 最高结温:175°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 封装形式:TO-263(D2PAK)

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    1. 高可靠性:最大工作温度为 175°C,适合极端环境应用。
    2. 快速响应:低导通电阻和高开关频率能力,使器件性能更加优越。
    3. 严格的测试保障:所有产品均通过 Rg 和 UIS 测试,确保高品质。
    市场竞争力:
    NP80N055KHE 在同类产品中具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,尤其适合需要高功率密度和低功耗的应用场景。此外,其无卤素设计和 RoHS合规性使其在全球范围内具备广泛的市场潜力。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 开关电源转换器
    - 高频逆变器
    - 汽车电子系统
    使用建议:
    - 在使用过程中需注意散热管理,建议安装在 PCB 板上以提高散热效率。
    - 对于大电流应用,可以通过并联多个 MOSFET 来分担负载。
    - 注意避免超过绝对最大额定值,防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    NP80N055KHE 可与主流 PCB 设计兼容,其 TO-263 封装便于焊接和组装。同时,该器件可与市面上多数控制器 IC 配套使用。
    技术支持:
    VBsemi 提供详尽的技术文档和在线支持,客户可通过官网或客服热线获取进一步的技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致失效 | 加强散热措施,优化 PCB 布局 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保焊接质量,避免虚焊 |
    | 驱动电路不稳定 | 调整驱动电阻和电容参数 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NP80N055KHE 凭借其高性能、高可靠性和宽广的工作温度范围,成为一款极具吸引力的功率 MOSFET 产品。它在开关电源和工业控制领域的应用尤为突出。
    推荐意见:
    我们强烈推荐 NP80N055KHE 用于需要高效能和高稳定性的应用场合。尤其是对于需要在高温环境下运行的产品,这款器件将是理想的选择。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    以上是关于 NP80N055KHE 的详细技术手册解读,希望能为您的选型和技术应用提供有力的支持!

NP80N055KHE-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP80N055KHE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N055KHE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N055KHE-VB NP80N055KHE-VB数据手册

NP80N055KHE-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
800+ ¥ 2.4839
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