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TK5A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: TK5A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK5A65D-VB

TK5A65D-VB概述

    # Power MOSFET TK5A65D 技术手册

    产品简介


    TK5A65D 是一款高性能的 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电力管理和转换系统中。这款 MOSFET 具有低栅极电荷和低导通电阻的特点,能够有效降低开关损耗和导通损耗,提高系统的整体效率。它适用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯管)以及工业应用等场景。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压:±30V
    - 漏源电压:650V
    - 持续漏电流(TJ=150°C):8.33A(VGS=10V,TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量:97mJ
    - 最大功率耗散:22W(TJ=25°C)
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 漏源电压上升率:41V/ns
    - 反向二极管 dv/dt:5.6V/ns
    - 焊接建议(峰值温度):300°C(持续10秒)
    额定参数(TJ=25°C)
    - 漏源击穿电压:650V(VGS=0V,ID=250μA)
    - 栅源阈值电压:2.5V 至 5V(VDS=VGS,ID=250μA)
    - 零栅压漏电流:1μA(VDS=650V,VGS=0V)
    - 导通电阻(VGS=10V,ID=4A):0.8Ω(典型值)
    - 输入电容(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz):1450pF(典型值)
    - 输出电容:待定
    - 逆转移电容:待定
    - 总栅极电荷(VGS=10V,ID=4A,VDS=520V):30nC(最大值)
    - 栅源电荷:22.7nC(典型值)
    - 栅漏电荷:31.2nC(典型值)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):0.8Ω(典型值),可显著降低导通损耗。
    2. 低栅极电荷(Qg):30nC(最大值),有助于降低开关损耗。
    3. 高重复雪崩能量(EAS):97mJ,提供更好的安全操作区(SOA)保护。
    4. 快速开关特性:具备低栅源电荷(Qgs)和栅漏电荷(Qgd),适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统:用于高效能的电力管理,提高系统整体效率。
    - 开关模式电源供应系统(SMPS):配合其他电源组件,构建高效的直流到直流转换电路。
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC):提高输入功率因数,减少谐波污染。
    - 高强度放电灯和荧光灯管照明:用于照明系统的驱动和控制,提升照明质量。
    - 工业应用:适用于各种工业自动化控制系统和电机驱动电路。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的热管理,使用合适的散热片或风扇,防止过热损坏。
    - PCB布局:减小寄生电感,优化接地平面,以提高电路性能。
    - 驱动电路:使用合适的栅极驱动器,以保证快速而稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他常见的 N-Channel MOSFET 类似,可以在类似的电路中直接替代使用。
    - 技术支持:请联系供应商获取详细的安装指南和技术支持,以确保正确使用和最大化其性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热严重:检查散热设计是否合理,确保 MOSFET 处于允许的工作温度范围内。
    2. 栅极驱动信号不稳定:确保驱动信号足够强,避免开关损耗增加。
    3. 频繁烧毁:检查是否超出绝对最大额定值,注意反向恢复特性的保护。
    解决方案
    - 确保散热措施到位,例如使用散热片或风扇。
    - 优化驱动电路设计,使用合适的栅极驱动器。
    - 在电路中添加必要的保护电路,如齐纳二极管或TVS二极管,以保护 MOSFET 免受电压瞬变的影响。

    总结和推荐



    总结


    TK5A65D 是一款具有高度可靠性和出色性能的 N-Channel Power MOSFET。其低导通电阻、低栅极电荷和高重复雪崩能量等特点使其非常适合多种电力管理和转换系统应用。其出色的开关性能使其能够在高频条件下高效运行。
    推荐
    强烈推荐使用 TK5A65D 作为高效率电力管理和转换系统的首选 MOSFET。结合合理的电路设计和散热措施,能够确保其发挥最佳性能,提高系统可靠性。

TK5A65D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TK5A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK5A65D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK5A65D-VB TK5A65D-VB数据手册

TK5A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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