处理中...

首页  >  产品百科  >  F630-VB

F630-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: F630-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F630-VB

F630-VB概述

    F630-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    F630-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具有高耐压(200V)和大电流处理能力(高达40A)。此器件适用于开关电源、电机驱动、照明系统和其他需要高效转换和控制的应用场合。它采用 TO-220AB 封装,便于散热和安装。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 200 V
    - 门限电压 (VGS(th)): 2 - 4 V
    - 零门限电压漏电流 (IDSS): ≤ 1 μA @ VDS = 200 V, VGS = 0 V
    - 开态漏电流 (ID(on)): 40 A @ VDS = 5 V, VGS = 10 V
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)): 0.270 Ω @ VGS = 10 V, ID = 5 A
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 800 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 110 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 80 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 8 nC @ VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 19 A
    - 栅极电阻 (Rg): 0.5 - 2.9 Ω
    - 开启延迟时间 (td(on)): 15 - 20 ns
    - 上升时间 (tr): 50 - 75 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30 - 45 ns
    - 下降时间 (tf): 60 - 90 ns
    - 安全操作区域 (SOA)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 18 mJ @ L = 0.1 mH
    - 最大连续漏电流 (ID): 12 A @ TJ = 175 °C
    - 温度范围
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 最高结温 (TJ): 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受能力: 最大结温可达175°C,使得该器件能在极端环境下稳定工作。
    - 高可靠性: 100% Rg 测试保证,符合 RoHS 指令。
    - 优化设计: PWM 优化设计,适合高频开关应用。
    - 强电流处理能力: 大电流处理能力和低 RDS(on) 值,提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 作为主侧开关用于开关电源和电机驱动电路。
    - 使用建议: 在设计应用时,注意散热管理,确保 MOSFET 的温度不超过最大结温。使用适当的 PCB 设计来提高热传导效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与各种主流控制器和驱动电路兼容。
    - 支持: 官方技术支持和文档齐全,可通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过热导致性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用合适的散热片和热导管。

    - 问题: 门限电压不匹配导致性能不稳定。
    - 解决方案: 选择合适的门限电压以匹配驱动电路。

    7. 总结和推荐


    F630-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的温度耐受能力和高可靠性。适合在高电流、高温环境中应用。综合考虑其性能指标和应用场景,推荐用于需要高效能转换的工业和消费电子设备中。

F630-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F630-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F630-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F630-VB F630-VB数据手册

F630-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336