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JCS8N65FB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS8N65FB-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N65FB-VB

JCS8N65FB-VB概述

    # JCS8N65FB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS8N65FB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电源管理系统中。它具备低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)等特点,能够显著减少开关和导通损耗,适用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)以及功率因数校正(PFC)等应用。此外,该产品还被用于高亮度放电灯(HID)照明和荧光灯镇流器,以及各种工业设备。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 40 A
    - 栅极-源极电压 (VGS): ± 30 V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.5 V 至 5 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 13 nC
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.65 Ω (典型值)
    - 最大功耗 (PD): 100 W
    - 雪崩能量 (EAS): 860 mJ
    绝对最大额定值
    - 最大连续漏极电流 (ID): 40 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 860 mJ
    - 最大功耗 (PD): 100 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 引脚间漏极-源极电压变化率 (dV/dt): 60 V/μs

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 最小化的导通损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少驱动功率需求,加快开关速度。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少开关过程中的能耗。
    - 超低雪崩能量 (EAS): 提升在极端工作条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS8N65FB 广泛应用于服务器和电信电源系统,如开关模式电源(SMPS)。其高效能使其成为电力电子系统中的理想选择。在工业设备中,该器件用于高亮度放电灯(HID)照明系统和荧光灯镇流器,确保稳定高效的电源输出。
    使用建议
    为了充分利用其特性,建议采用优化的电路设计,尽量减少外部寄生电感的影响。例如,在高频率应用中,使用良好的接地平面和布局可以有效降低杂散电感,提高整体性能。

    兼容性和支持


    JCS8N65FB 的 TO-220 FULLPAK 封装与市场上大多数标准工具兼容,便于安装和集成。制造商提供全面的技术支持,包括详细的规格文档、应用指南以及售后维护服务,以帮助用户更好地利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时发热严重。
    - 解决方案: 检查电路设计是否合理,避免过多的寄生电感,增加散热措施如散热片。
    - 问题: 栅极驱动不足导致过热。
    - 解决方案: 确保适当的栅极驱动电路设计,检查驱动电压是否满足要求。

    总结和推荐


    综上所述,JCS8N65FB 是一款高效且可靠的功率MOSFET,特别适合于需要高可靠性和高性能的应用场合。凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐将其应用于服务器、电信电源、工业控制系统等领域。如果你正在寻找一个高性价比、高性能的功率解决方案,JCS8N65FB 将是一个不错的选择。

JCS8N65FB-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N65FB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N65FB-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JCS8N65FB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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