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UP2790G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: UP2790G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UP2790G-S08-R-VB

UP2790G-S08-R-VB概述

    UP2790G-S08-R MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UP2790G-S08-R 是一款专为高效能需求设计的N沟道和P沟道30V(D-S)MOSFET。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻和高可靠性,广泛应用于电机驱动和其他需要高速开关的场合。

    2. 技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - N-Channel:8e A (TC = 25 °C),6.8 A (TC = 70 °C)
    - P-Channel:8e A (TC = 25 °C),6.6 A (TC = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流 (10 µs脉宽):40 A
    - 单脉冲雪崩电流 (L = 0.1 mH):10 A (N-Channel), 20 A (P-Channel)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):5 mJ (N-Channel), 20 mJ (P-Channel)
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):3.1 W (N-Channel), 3.2 W (P-Channel)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55至150 °C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更高的效率。
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准,环保安全。
    - 全面测试:100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机驱动:利用其低导通电阻特性,适用于高效电机控制电路。
    - 移动电源:适合用于便携式电子设备的电源管理。
    - 使用建议:
    - 确保良好的散热设计以避免因高温导致的性能下降。
    - 在电路设计时注意栅极驱动信号的正确配置,以避免误触发。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UP2790G-S08-R 与各种标准SO-8封装兼容。
    - 技术支持:请联系VBsemi公司获取更多技术支持和维护信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅源电压是否会损坏器件?
    - 解决方案:请勿超过额定的最大栅源电压(±20V),以免损坏器件。
    - 问题2:如何防止过热?
    - 解决方案:确保电路设计具有足够的散热能力,如使用散热片或散热器。

    7. 总结和推荐


    UP2790G-S08-R MOSFET凭借其高可靠性和优异的性能,在电机驱动和其他应用中表现出色。其低导通电阻、高功率密度和环保特性使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐给需要高性能开关应用的设计工程师。
    服务热线:400-655-8788
    以上是对UP2790G-S08-R MOSFET的技术手册内容的综合整理,希望对您有所帮助。

UP2790G-S08-R-VB参数

参数
FET类型 N+P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Id-连续漏极电流 9A,6A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UP2790G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UP2790G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UP2790G-S08-R-VB UP2790G-S08-R-VB数据手册

UP2790G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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4000+ ¥ 1.1597
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