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JCS8N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS8N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N60F-VB

JCS8N60F-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种高性能的半导体器件,广泛应用于服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明(如高强度放电灯和荧光灯球)以及工业设备等领域。这些应用对高效能、低功耗和快速开关能力有着严格的要求。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏极电流 (\( TJ = 150^\circ C \)): 10V 时 \( ID \)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 97mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 100W
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 至 +150°C
    - 漏源电压斜率 \( \frac{dV}{dt} \): 125°C 时 60V/μs
    - 焊接推荐(峰值温度):300°C
    静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5V 至 5V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA (650V, \( V{GS} = 0V \))
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 1Ω (10V, \( ID = 4A \))
    动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \)
    - 输出电容 \( C{oss} \)
    - 反向传输电容 \( C{rss} \)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 32nC (10V, \( ID = 4A \), \( V{DS} = 520V \))
    - 开启延迟时间 \( td(on) \):
    - 上升时间 \( tr \):
    - 关断延迟时间 \( td(off) \):
    - 下降时间 \( tf \):

    产品特点和优势


    该Power MOSFET的主要优势包括:
    - 低栅极电荷 (\( Qg \)): 有助于降低开关损耗,提高系统效率。
    - 低输入电容 (\( C{iss} \)): 减少栅极驱动功率,简化电路设计。
    - 低导通电阻 (\( R{DS(on)} \)): 在高电流下保持低损耗,适用于大功率应用。
    - 增强型反向恢复性能:提高了可靠性,减少了反向恢复期间的能量损失。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:用于提供稳定可靠的电源,减少电力损耗。
    - 开关模式电源(SMPS):提供高效的直流转换。
    - 照明设备:用于高压灯和荧光灯球,实现更稳定的照明效果。
    - 工业设备:广泛应用在各种工业自动化设备中,确保高效和稳定的电源管理。
    使用建议
    - 在设计电路时,需要考虑其高频开关特性和相应的栅极驱动需求,以确保最优性能。
    - 确保使用合适的散热设计,以避免高温导致的损坏。
    - 在复杂系统中使用时,应注意信号干扰问题,并采用适当的屏蔽措施。

    兼容性和支持


    该Power MOSFET具有良好的兼容性,适用于多种电路设计和系统集成。厂商提供了全面的技术支持,包括应用指南、样品请求、技术支持热线(400-655-8788)以及在线技术支持资源。此外,还提供了详细的焊接推荐和封装尺寸规格,便于客户进行精确的装配。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    - 问题: 开关过程中出现过热。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热方式。
    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 优化电路设计,减少不必要的寄生电容,使用合适的栅极驱动。
    - 问题: 电路不稳定。
    - 解决方案: 检查连接是否牢固,确保所有接点接触良好,适当增加滤波电容。

    总结和推荐


    总体来看,这款Power MOSFET具备出色的性能和广泛的应用前景。其低栅极电荷和低导通电阻的特点使其成为高效率电源管理的理想选择。对于需要高可靠性、高性能的电源管理系统,我们强烈推荐使用此款Power MOSFET。通过遵循推荐的设计和使用建议,可以充分发挥其潜力,实现最佳的性能表现。

JCS8N60F-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N60F-VB JCS8N60F-VB数据手册

JCS8N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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