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8N65L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 8N65L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N65L-TF1-T-VB

8N65L-TF1-T-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    本产品为N沟道功率MOSFET,采用TO-220 Fullpak封装,广泛应用于各类高效率电源管理系统及高性能电力电子电路中。该产品通过优化的低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg),显著降低了开关损耗与导通损耗,从而提高整体系统的能效。
    主要功能
    - 高性能开关能力;
    - 支持高电压(最大额定值650V);
    - 超低门极电荷和栅极电容;
    - 优异的温度稳定性;
    - 卓越的雪崩能量能力(UIS)。
    应用领域
    - 服务器和电信电源:用于电源模块和负载调节;
    - 开关模式电源(SMPS):提升转换效率;
    - 功率因数校正(PFC):优化电网输入功率;
    - 照明系统:支持高强放电灯(HID)和荧光灯驱动;
    - 工业控制:适合多种工业场景,如电机控制、逆变器等。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 5 | V |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | - | 1 | - | Ω |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 门极电荷 | Qg | - | 13 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 4.7 | - | nC |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 140 | - | W |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 70 | - | A |
    此外,该产品的绝对最大额定值如下:
    - 漏极-源极电压(VDS):650V;
    - 栅极-源极电压(VGS):±30V;
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ;
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低栅极电荷与低导通电阻:RDS(on)与Qg的优化设计显著降低了开关频率下的能量损耗,提升了整体效率。
    2. 宽广的工作温度范围:可适应-55°C至+150°C的极端环境条件。
    3. 超低热阻抗:热阻抗(RthJA)为63°C/W,有助于高效散热。
    4. 高可靠性:符合RoHS和无卤素标准,确保环保安全。
    市场竞争力
    该产品以其卓越的性能和紧凑的设计,在服务器电源、通信设备和照明控制等领域表现优异,能够满足苛刻的应用需求。此外,其较高的雪崩能量能力(UIS)使得其在高能电力场景中具有良好的稳定性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    - 服务器电源系统:用于输出整流阶段,降低热损耗并延长系统寿命。
    - 工业电机控制:配合变频器实现精确的电机速度控制。
    - HID照明驱动:适用于路灯、工业照明等场合,提供高能效和稳定运行。
    使用建议
    - 优化电路布局:减少寄生电感和电容对开关性能的影响。
    - 选择合适的栅极电阻:根据应用需求调整Rg以平衡开关速度和功耗。
    - 保持散热良好:在高温环境下使用时,考虑安装散热片或改进散热设计。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 本产品可直接替换同类主流品牌的MOSFET型号,如Infineon和ON Semiconductor的同类产品。
    - 支持标准化接口,便于集成到现有电路设计中。
    厂商支持
    - 提供详细的技术文档和技术支持,包括典型电路图和波形测试方法。
    - 客户可通过服务热线400-655-8788咨询产品使用相关问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现高频振荡 | 调整栅极电阻(Rg),增加滤波电容。 |
    | 温度过高导致性能下降 | 改善散热措施,如加装散热片。 |
    | 雪崩事件触发后器件失效 | 确保输入电压不超过额定值,并检查保护电路。 |

    总结和推荐


    综合评估
    8N65L-TF1-T是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,其低导通电阻、超低门极电荷和宽广的工作温度范围使其成为电源管理领域的理想选择。该产品在开关电源、功率因数校正和工业控制等应用场景中表现出色。
    推荐结论
    基于其出色的性能和多样的适用性,强烈推荐在需要高效、高可靠性的电力电子系统中选用此款产品。无论是对新设计还是替换现有组件,8N65L-TF1-T都提供了卓越的价值和稳定性。

    更多详情请访问官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或拨打服务热线:400-655-8788。

8N65L-TF1-T-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

8N65L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N65L-TF1-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N65L-TF1-T-VB 8N65L-TF1-T-VB数据手册

8N65L-TF1-T-VB封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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起订量: 10 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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