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JCS12N65FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: JCS12N65FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS12N65FT-O-F-N-B-VB

JCS12N65FT-O-F-N-B-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析



    产品简介



    N-Channel 650V Power MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种适用于多种高功率应用场景的电子元器件。该产品具有极低的导通电阻(RDS(on))和较低的栅源电容(Ciss),能有效减少开关损耗和传导损耗,从而提高整体效率。这种MOSFET主要用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明和工业设备中。


    技术参数



    以下是该产品的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):25°C时为典型值(具体值未给出)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值43nC
    - 栅源电荷(Qgs):5nC
    - 栅漏电荷(Qgd):22nC
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 最高工作温度:150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C


    产品特点和优势



    - 低栅极电荷(Qg):这有助于减少开关损耗,使得MOSFET更加高效。
    - 低输入电容(Ciss):降低了驱动电路的要求,简化了外围电路设计。
    - 优异的开关性能:由于低栅极电荷和低输入电容,这款MOSFET具备优秀的动态性能,适合高频开关应用。
    - 坚固耐用:该MOSFET能承受较高的雪崩能量(UIS),提高了可靠性。
    - 高集成度:采用TO-220 FULLPAK封装,易于安装和焊接。


    应用案例和使用建议



    - 服务器和电信电源供应系统:利用其高效的开关特性和低损耗,适合用于需要高可靠性的大型数据中心。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):适用于高频工作的开关电源,能显著提升效率。
    - 功率因数校正电源供应器(PFC):由于其高效率和低损耗,非常适合用于PFC电路。
    - 工业设备:该MOSFET可以用于控制电机和其他需要高电流的应用场景。

    使用建议:
    - 在高电流应用中,应确保散热良好以避免过热导致的损坏。
    - 使用时应注意栅极驱动电路的设计,以确保低功耗和稳定的工作状态。
    - 确保外围电路的设计能够提供足够的门极电荷来快速打开和关闭MOSFET,以减少开关损耗。


    兼容性和支持



    - 兼容性:此MOSFET兼容于各种标准SMPS和PFC电路设计。
    - 支持和维护:厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护该产品。


    常见问题与解决方案



    - Q: MOSFET在高温下工作是否安全?
    A: 是的,该MOSFET的最大工作温度为150°C,但长时间工作在高温环境下会降低使用寿命。因此,需确保良好的散热措施。
    - Q: 如何测试MOSFET的开关特性?
    A: 可以通过测量其输出特性和转移特性来验证其开关特性,确保符合规范要求。


    总结和推荐



    总体来看,这款N-Channel 650V Power MOSFET凭借其高效的开关特性、低损耗和出色的耐用性,在多个高功率应用场合表现出色。我们强烈推荐这一产品给寻求高性能和高可靠性的应用领域,如服务器电源、电信设备和工业自动化。

JCS12N65FT-O-F-N-B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS12N65FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS12N65FT-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS12N65FT-O-F-N-B-VB JCS12N65FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS12N65FT-O-F-N-B-VB封装设计

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