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UTT30N08-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: UTT30N08-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N08-VB

UTT30N08-VB概述

    UTT30N08 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UTT30N08 是一款 N-Channel 100-V 漏源电压(D-S)MOSFET,由台湾 VBsemi 电子有限公司制造。它具有强大的性能,适用于多种应用领域,包括电源管理、驱动电路、电机控制等。此 MOSFET 采用 TrenchFET® Power MOSFET 结构,能够提供出色的电气特性和可靠性。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):40A(在 TC = 25°C 下),23A(在 TC = 125°C 下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):120A
    - 雪崩电流 (IAR):35A
    - 重复雪崩能量 (EAR):61mJ(在 L = 0.1mH 下)
    - 最大功率耗散 (PD):107W(在 TC = 25°C 下),3.75W(在 TA = 25°C 下)
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:能够承受高达 175°C 的结温。
    - 低热阻封装:结到环境的热阻(RthJA)为 40°C/W,使得散热性能优秀。
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):最高可达到 250µA(在 TJ = 175°C 下)。
    - 低导通电阻 (rDS(on)):在 VGS = 10V 和 ID = 5A 条件下,rDS(on) 为 0.030Ω。
    - 快速开关特性:典型值为 11ns 到 20ns(td(on)),12ns 到 20ns(tr),30ns 到 45ns(td(off)),12ns 到 20ns(tf)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:由于其低导通电阻,UTT30N08 非常适合用于电源管理应用,如开关电源中的高效率转换。
    - 电机控制:其高耐压和低导通电阻使其在电机驱动应用中表现出色。
    - 汽车电子:适合用于需要高可靠性的车载电子系统,如电动车窗、雨刷等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 PCB 布局合理,以最大限度减少寄生电感和电阻的影响。
    - 注意散热设计,特别是在高功率应用中,避免因过热而导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    UTT30N08 采用 TO-252 封装,该封装具有良好的兼容性,适用于多种 PCB 布局。厂商提供了详细的文档和技术支持,以帮助客户进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后 MOSFET 发热严重。
    解决方案:优化散热设计,确保良好的 PCB 布局和散热路径。

    - 问题:MOSFET 在某些工作条件下出现不稳定。
    解决方案:确认工作条件在绝对最大额定值范围内,并适当增加冗余量。

    7. 总结和推荐


    UTT30N08 N-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能的 MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性以及宽广的工作温度范围,非常适合在多种应用中使用。其出色的性能和稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐这款产品用于需要高效、可靠和高性能的电子系统设计。

UTT30N08-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N08-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N08-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N08-VB UTT30N08-VB数据手册

UTT30N08-VB封装设计

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