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NTD4809NAT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: NTD4809NAT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4809NAT4G-VB

NTD4809NAT4G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    该产品是一款N沟道30V(D-S)MOSFET,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。主要功能包括提供高效的电能转换和低导通电阻,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等多种应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 25.8 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 250 | - | A |
    | 漏源体二极管持续电流 | IS | 90 | - | - | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 205 | - | - | W |
    | 最大结温 | TJ | -55 | 175 | - | °C |
    | 热阻 | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高效能:TrenchFET®技术保证了低导通电阻和高开关速度。
    - 严格测试:100%的Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 绿色环保:符合RoHS指令2011/65/EU标准。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing应用:在服务器电源系统中作为保护器件,确保系统的稳定运行。
    - DC/DC转换:在通信设备中,降低能耗并提高效率。
    - 推荐使用:在设计阶段充分考虑散热设计以避免过热问题。例如,可以采用更有效的散热片或增加通风设施来降低温度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数常见的服务器主板和DC/DC转换器板相兼容。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决在安装和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的工作温度导致器件损坏。
    解决方案:加强散热措施,如添加散热片或改进空气流通。
    2. 问题:器件在脉冲电流下无法正常工作。
    解决方案:检查电路设计,确保脉冲电流不超过最大额定值,并且正确设置相关保护电路。
    3. 问题:器件在高温环境下性能下降。
    解决方案:在设计时预留足够的散热空间,或者选用更大尺寸的散热片。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高效、可靠的MOSFET,具有优异的性能和广泛的应用前景。其出色的散热性能和严格的测试标准使其在市场上具备很强的竞争力。对于需要高效能转换的应用场合,这款MOSFET是一个理想的选择。因此,强烈推荐在服务器、DC/DC转换等领域使用此款产品。

NTD4809NAT4G-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD4809NAT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4809NAT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4809NAT4G-VB NTD4809NAT4G-VB数据手册

NTD4809NAT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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交货地:
最小起订量为:20
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型号 价格(含增值税)
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