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FIR10N60FG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: FIR10N60FG-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIR10N60FG-VB

FIR10N60FG-VB概述

    # FIR10N60FG-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FIR10N60FG-VB 是一款 N-沟道功率 MOSFET,以其卓越的性能和可靠性被广泛应用于多种场合。其核心功能是用于控制电力系统的电流流动,特别适用于高压应用环境。主要的应用领域包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。此外,它也广泛应用于工业控制系统中。

    技术参数


    - 最大电压(VDS): 650V(TJ 最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)): 25°C 时的典型值为 4.0Ω(VGS = 10V)
    - 最大漏极电流(ID):
    - 在 25°C 下连续工作时为 178A
    - 在 100°C 下连续工作时为 156A
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为 178nC
    - 栅源电荷(Qgs): 最大值为 53nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 最大值为 156nC
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 97mJ
    - 最大功率耗散(PD): 178W
    - 绝对最大额定温度(TJ, Tstg): -55 至 +150°C
    - 封装类型: TO-220 FULLPAK

    产品特点和优势


    FIR10N60FG-VB 具备低栅极电荷(Qg),低输入电容(Ciss),减少的开关损耗和传导损耗,这些特性使其在高效电源转换器中表现尤为出色。另外,该 MOSFET 还具备超低栅极电荷(Qg),这有助于提升整体电路效率,降低发热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:在这种高可靠性要求的应用中,选用FIR10N60FG-VB可以有效提高系统的稳定性和效率。
    - 开关模式电源(SMPS):该 MOSFET 在开关频率下表现出色,能够实现高效的直流到直流转换。
    - 照明:对于高强度放电灯和荧光灯镇流器,FIR10N60FG-VB 可以实现高效的电流控制,延长灯泡寿命。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合该 MOSFET 的绝对最大额定值。
    - 考虑到热管理的重要性,在高温环境下需要采取额外的散热措施。

    兼容性和支持


    FIR10N60FG-VB 与现有的许多电源转换器和逆变器系统高度兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档,并通过其服务热线(400-655-8788)提供售后技术支持。用户还可以访问公司官网(www.VBsemi.com)获取更多产品信息和支持资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下 MOSFET 温度过高。
    - 解决方案: 增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题: 高频开关引起的噪音。
    - 解决方案: 使用低电感布局,避免长引线,并添加滤波器以减小噪声干扰。
    - 问题: 输出电流不稳定。
    - 解决方案: 检查并确保栅极驱动信号的稳定性和波形质量。

    总结和推荐


    FIR10N60FG-VB N-沟道 MOSFET 具有出色的性能和稳定性,特别是在高压和高频应用中表现出色。无论是服务器和电信电源供应还是工业控制系统,这款 MOSFET 都是理想的选择。建议在选择电源转换器时优先考虑 FIR10N60FG-VB,以获得最佳性能和可靠性。

FIR10N60FG-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FIR10N60FG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIR10N60FG-VB数据手册

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FIR10N60FG-VB封装设计

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