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HFD1N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: HFD1N80-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFD1N80-VB

HFD1N80-VB概述

    HFD1N80 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HFD1N80 是一款高性能的N通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)、工业领域(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源等)。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 类型: N通道功率MOSFET
    - 封装: DPAK (TO-252)

    - 主要技术指标:
    - 静态参数:
    - 栅源击穿电压 (VDS): 800 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 栅源漏电流 (IDSS): 1 μA (VDS = 640 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C)

    - 动态参数:
    - 栅极电荷 (Qg): 9.8 - 19.6 nC
    - 输入电容 (Ciss): 315 pF
    - 输出电容 (Coss): 20 pF
    - 反向传输电容 (Crss): -6 pF

    - 热参数:
    - 最大功率耗散 (PD): 62.5 W
    - 最大接合温度 (TJ): -55 to +150 °C

    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 800 V
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 2.8 A (TC = 25 °C), 1.8 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 14 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 62.5 W
    - 焊接峰值温度: 300 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 9.8 - 19.6 nC
    - 低输入电容 (Ciss): 315 pF
    - 减少开关损耗: 减少高达 70% 的开关损耗和传导损耗
    - 雪崩能量评级 (UIS): 支持高可靠性,适合工业和照明应用
    - 高重复性: 能够处理高强度放电灯(HID)和荧光灯的瞬时电流冲击

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 服务器和电信电源供应: 适用于高功率密度的设计
    - 工业应用: 如焊接、感应加热、电机驱动等场合
    - 可再生能源: 特别适合光伏逆变器
    - 使用建议:
    - 优化电路布局: 降低寄生电感,采用接地平面设计,减少漏电流
    - 散热设计: 使用高效散热器,确保良好的热管理
    - 电流监测: 使用电流采样电阻监控电流,确保电路稳定性

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品具有良好的兼容性,适用于多种类型的电源电路和工业应用。对于其他兼容性问题,建议参考官方技术支持文档。
    - 支持: VBsemi 提供全方位的技术支持,包括电路设计咨询、故障排查和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高频开关时栅极振荡
    - 解决方案: 在栅极上加装RC吸收网络
    - 问题: 温度过高导致失效
    - 解决方案: 使用散热片或散热风扇加强散热
    - 问题: 漏电流过高
    - 解决方案: 选择合适的驱动电路,调整栅极电阻 (Rg)

    7. 总结和推荐


    综合评估: HFD1N80 N-Channel MOSFET 提供出色的性能和稳定性,特别适合高效率和高可靠性的电源应用。其独特的设计使其成为电力转换和工业控制领域的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高性能的电源系统中。

HFD1N80-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HFD1N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFD1N80-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFD1N80-VB HFD1N80-VB数据手册

HFD1N80-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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