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J602-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),60mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: J602-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J602-VB

J602-VB概述

    J602-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    J602-VB 是一款高性能的P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高电流负载开关和直流/交流转换器等领域。其采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻和高可靠性等特点,能够有效提高电路的整体效率和稳定性。

    技术参数


    以下是J602-VB的主要技术参数:
    - 极间电压 (VDS):-60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):45A
    - 脉冲漏极电流 (t = 300 µs):100A
    - 最大功率耗散 (TA = 25°C):2.1W
    - 寄生二极管的最大持续电流 (IS):-40A
    - 寄生二极管的最大脉冲电流 (ISM):-100A
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):-1μA
    - 静态栅阈电压 (VGS(th)):-1.0V 至 -3.0V
    - 输入电容 (Ciss):20pF
    - 输出电容 (Coss):330pF
    - 反向传输电容 (Crss):280pF
    - 总栅电荷 (Qg):67nC
    - 栅源电荷 (Qgs):13.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):14nC
    - 导通延迟时间 (td(on)):10ns 至 20ns
    - 上升时间 (tr):11ns 至 20ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):42ns 至 63ns
    - 下降时间 (tf):12ns 至 20ns
    - 峰值恢复电流 (IRM(REC)):2.3A 至 3.5A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):40nC 至 60nC

    产品特点和优势


    J602-VB 的主要特点包括:
    - 高效能:由于采用了先进的TrenchFET技术,J602-VB具备低导通电阻(RDS(on))特性,从而减少了电路中的功耗,提高了整体能效。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环保材料:符合RoHS指令及无卤素要求,适合环保标准高的应用场景。
    - 广泛的适用范围:适用于各种高电流应用场合,如电源开关和负载开关。

    应用案例和使用建议


    J602-VB 广泛应用于需要高电流负载开关的系统中,如DC/DC转换器、电源管理电路等。例如,在一个电源管理系统中,J602-VB可以作为主控开关,用于控制电流的通断。为了优化使用效果,建议在电路设计时考虑以下几点:
    - 确保电路板尺寸至少为1英寸方块(FR-4材料),以实现良好的热管理和散热。
    - 使用合适的散热片来降低工作温度,特别是在高电流运行时。

    兼容性和支持


    J602-VB与多种电路和设备兼容,可用于各类电源设计中。厂商提供详细的技术支持,包括但不限于样品申请、技术咨询等。如有任何问题,可以通过服务热线400-655-8788进行联系。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能会遇到的一些问题及其解决方案:
    1. 问题:MOSFET工作温度过高
    - 解决方案:安装适当的散热片或增加散热孔,确保设备在安全的工作温度范围内运行。
    2. 问题:电路响应速度慢
    - 解决方案:检查电路中的电容和电阻值是否符合设计要求,必要时调整相关元件参数。

    总结和推荐


    综上所述,J602-VB是一款非常优秀的P沟道60V MOSFET,其出色的性能和广泛的适用范围使其成为众多高电流应用的理想选择。无论是从效率、可靠性还是环保角度来看,这款产品都能满足现代电子设备的需求。因此,强烈推荐将J602-VB用于需要高可靠性和高效能的电路设计中。

J602-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@10V,85mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J602-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J602-VB数据手册

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J602-VB封装设计

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